Firma Samsung Electronics oznámila, že se jí povedlo vyrobit 2Gb DDR2 SDRAM chipy a to rovnou pomocí 80nm výrobní technologie. Je to trošku překvapení, protože se očekávalo, že DDR2 paměťové chipy s takovouto kapacitou budou vyžadovat alespoň 65nm výrobní technologii. Samsung se samozřejmě bije v prsa a hlásí, jaké všemožné inovátorské techniky při výrobě použil, ale říkat si o „3D transistor technology“, „recess channel array transistor“ a podobné výrazy bez bližšího vysvětlení asi nemá smysl a tak se raději podíváme na praktičtější stránku věci.

Je celkem jasné, že se zatím jedná o prototypy a než je bude moci vyrábět sériově, uběhne ještě dlouhá doba. Momentálně to se zahájením výroby ve velkém vypadá na druhou polovinu příštího roku. 2Gb DDR2 chip bude uložen v FBGA pouzdře a bez modifikací půjde použít pro vytvoření paměťových modulů o kapacitách 2, 4 a 8 GB.