Nejsou tomu ani dva měsíce, co společnost Samsung začala používat pro sériovou výrobu Gbitových DDR2 paměťových čipů 80nm výrobní proces a už její inženýři opět znatelně pokročili. Podařilo se jim totiž dokončit 50nm výrobní proces, kterým jsou schopni vyrábět právě DDR2 čipy stejné kapacity. Oproti (taktéž víceméně „laboratornímu“) 60nm procesu pak uvádějí, že zefektivní produkci čipů až o 55 %

Za vším samozřejmě stojí firemní technologie v čele s designem trojrozměrných tranzistorů a vícevrstvým provedením dielektrické vrstvy čipu (jsou složeny ze ZrO₂ - Al₂O₃ - ZrO₂). 3D tranzistory pak mají speciální rozšiřující se elektronový kanál, jehož použití vyúsťuje v nižší spotřebu čipů a možnost použití vyšších pracovních frekvencí. Řada dalších technologií pak byla „jen“ adaptována pro tento výrobní proces z předchozích verzí. Nyní představený 50nm nalezne uplatnění v sériové výrobě paměťových čipů Samsung někdy v průběhu roku 2008. Hovoří se přitom o čipech pro grafické karty a mobilní zařízení.