Společnosti Toshiba a NEC dokončily vývoj dalšího společného produktu, kterými jsou magnetoresistivní paměti, zkráceně MRAM. Jedná se o vysokorychlostní paměti s velkou hustotou dat. Nyní dosahují kapacitou na 16 Mbit (oproti roku 2002 značný pokrok), přičemž rychlost čtení i zápisu dosahuje 200 MB/s. Paměť si přitom vystačí s napájecím napětím 1,8 V. Hlavním problémem, který se podařilo vyřešit, byla degradace rychlosti čtecích operací způsobovaná nevhodnou architekturou obvodu, generujícího magnetické pole pro zápis dat. Tyto nové MRAM mají již problém vyřešen, zapisovací proud se rovnoměrně rozděluje, díky čemuž se současně zredukoval i odpor na vedení přibližně o 38 %.

Oproti předchozím produktům došlo i ke zmenšení velikosti čipu o 30 % na 78,7 mm², dle obou firem se tak jedná o nejmenší 16Mbitový paměťový čip vůbec, a to při výrobním procesu 130/240 nm pro CMOS/MRAM část. Paměti mimochodem zvládají uchovat data po odpojení napájení. Využití si zajisté dokážete představit sami, paměťové karty a flashky bezesporu budou jedním z vhodných odbytišť. Na trhu je ale v nejbližší době nečekejte ani omylem.