Fujitsu Microelectronics America, Inc. (FMA) před pár dny představila její první 1Mbit FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) paměť. Na tom by asi nebylo nic celkem zvláštního, kdyby FRAM paměti nebyly něčím výjimečné. Jsou 10 000 rychlejší v zápisu než EEPROM a také spotřebují desetinu energie pro zápis. Vydrží nejméně 10 miliard přepisů, což je podle Fujitsu 100 000krát více než EEPROM. Její velkou výhodou, mimo rychlost (přístupová doba 100ns a čtení/zápisový cyklus 250ns), je fakt, že k udržení dat už není třeba záložního akumulátorku. Data si podrží nejméně 10 let, a to se dá čekat, že do té doby opět elektřinu zapojí.

Fujitsu nabídne MB85R1001 (8bit) a MB85R1002 (16bit), které vyrábí s 0,35 mikronovou technologií. První FRAM paměti firma začala prodávat v roce 1999 (256 kbit) a od té doby jich je to již více jak 160 miliónů kusů.

A k čemu je tato paměť vlastně potřeba? Do domácích spotřebičů, jako jsou mikrovlnky, myčky a pračky, do periferií (tiskárny, kopírky, ...) nebo třeba pro kotle vašeho ústředního vytápění. Vzorky vyjdou v tisícové sérii na 19 US$ (cca 500,- Kč).