"Její velkou výhodou, ... , je fakt, že k udržení dat už není třeba záložního akumulátorku" - čiže u EEPROM ho bolo treba ??? :-O

... to hovorí samo za seba, resp. za autora článku. Mal by si zrejme doplniť technické vzdelanie, alebo overiť zdroj, z ktorého opisuje a najlepšie čerpať rovno u Fujitsu, pretože tam sa v porovnaní FRAM vs. EEPROM hovorí o potrebe napájania len toľko, že je cca 10x nižšia spotreba pri zapisovaní.

Inak je to dobrý vtip :-) To som potom už desaťročia v strašidelnom omyle, keď u svojich dizajnov s EEPROM zásadne baterku nepoužívam a dáta to napriek tomu drží a drží a drží a zrejme aj dlho bude :-)))

xox: "Data si podrží nejméně 10 let, a to se dá čekat, že do té doby opět elektřinu zapojí." - jak známo, nic netrvá věčně a to samé platí o el. zařízeních. EEPROM si to udrží dost dlouho, ale ne na věky. Jestli je to totiž přepisovatelné (jako že EEPROM je, třeba mobil telefony), tak to znamená, že se tam nic "nevypaluje" ale pracuje to podobně jako třeba HDD (magnetický zápis který se sám "drží", ale nevydrží na věky). Tím pádem to tam nevydrží navěky, jelikož to není prostě nějak vypáleno (narozdíl třeba od CD, které je vypáleno fyzicky a když POMINEME chemickou reakci matroše CD, tak ta data tam vydrží navěky) Autor článku to myslel dobře, pouze jsi si to nepřečetl celé.
Mimo to, autor tento článek pouze "přepsal". Informace si nevycucal z prstu ale odněkud čerpal. Tudíž odsuzovat ho za obsah článku je kravina. Doufám že nebudu muset vysvětlovat proč, protože na to opravdu nemám náladu

martin: nijak jsem se nezastával, pouze jsem upozornil na obecnou věc, jako že kritizovat někoho kdo článek opsal a bral si údaje, odněkud je kravina. Kritizovat se dá pouze když to napíšeš sám od sebe (údaje si vymyslíš či si na ně po letech nějak vzpomeneš), ale ne když to přebereš od Fujitsu (či odněkud jinud). V tom případě se dá totiž kritizovat pouze a jen zdroj té zprávy. Tudíž někdo u Fujitsu.

martin:
No, mal som o Vás lepšiu mienku, ale ak ma teda považujete za hulváta, tak napodobne. K tomu je už ťažko niečo dodať. To vám padne tak ťažko považovať za správny aj iný názor než svoj vlastný?
Prečítal som si ten Váš príspevok niekoľko krát a jednoducho vo vete predtým porovnávate s EEPROM a hneď v nasledujúcej vete uvádzate ako veľkú výhodu, že "už není třeba záložního akumulátorku". To slovíčko UŽ je veľmi podstatné, pretože mení celý kontext. Podľa Vás teda keďže UŽ akumulátor nie je treba, tak z toho vyplýva, že PREDTÝM potrebný bol - a to je ten nezmysel. Tak sa prosím nečertite a čítajte po sebe.

Petr:
Jedná vec je prebrať informácie, lenže podľa mňa je vecou osobnej cti si informácie overiť a chyby opraviť.
Pracujem s návrhom el obvodov už vyše 20 rokov a detailne poznám vnútornú štruktúru aj princípy polovodičových javov ako v EEPROM, tak aj veromagnetických javov v nových FRAM. Tak ako u FRAM garantuje výrobca trvanlivosť min. 10 rokov, tak aj u EEPROM garantujú výrobcovia dlhú životnosť, napríklad Atmel u svojich primitívnych EEPROM radu AT24Cxx až 100 rokov. Takže Vaše tvrdenia sú v tomto prípade postavené na vode.
To, že nechápete princíp, ako to funguje Vám vôbec nedáva bezhraničnú voľnosť v tvrdeniach, ktoré zverejňujete. Držte sa faktov, to je jediná cesta, ako si nezaručiť verejnú blamáž.

Ach sorry, nie "veromagnetických javov" ale pochopiteľne feromagnetických ;-)

a ešte aby nevznikli nedorozumenia, tú "dlhú životnosť" u EEPROM som mal pochopiteľne na mysli tzv data retention time, t.j. dobu, po ktorú je EEPROM schopná udržať si naprogramované dáta.

Ehm, keď tak na to pozerám, správne pomenovanie pochodov vo FRAM je feroelektrické a nie feromagnetické, ako som v tej rýchlosti napísal.
... a aspoň sa po sebe opravím :-)

A teda aby boli už tie informácie úplné, tak v princípe sa v mriežke Pb (ZrTi) O3 presúva atóm Zr/Ti v smere el. poľa k protiľahlým atómom O a zostane tam aj po zániku el. poľa, tým sa mení elektrická polarizácia tejto sústavy. Na vymazanie bunky sa použije opačné napätie.

EEPROM zasa využívajú jav injektovania elektrónov pôsobením dostatočne veľkého napätia skrz tenkú vrstu oxidu, do hradla tranzistora pamäťovej bunky, kde ostanú zachytené v mriežke polovodiča. Tieto elektróny potom zvyšujú napäťový threshold v n-kanáli tranzistora a pri čítaní sa tranzistor už nepreklopí.

U FRAM sú vlastne zaujímavé v podstate tri veci:
1 - podstatne nižšia energia na preklopenie feroelektrickej domény oproti energii, potrebnej na injektáž potrebného množstva elektrónov do hradla,
2 - podstatne nižší čas na preklopenie atómov v porovnaní s časom, potrebným na nasýtenie hradla, aby sa dosiahol nepreklápací threshold (fuj, to je zvrat, ťažko prekladať technickú hantýrku),
3 - prakticky neobmedzený počet zápisov FRAM, keďže nemá oxidovú vrstvu, ktorá u EEPROM tvorí el hradlo a táto vrstva počtom zápisov bombardovaním elektrónmi postupne degraduje.

Nevýhoda FRAM - vyššie výrobné náklady - zatiaľ, tiež nižší garantovaný čas udržania dát bez napájania - 10 r. oproti 100 r. u EEPROM, zatiaľ (toto sú fakty, nechcem útočiť na martina). Vývoj však napreduje a čas ukáže.

xox má pravdu a v tomto prípade by ste mohli mať trošku slušnosti a priznať chybu. Ako píše, to slovíčko "už" dáva tej vete presne ten význam, že predtým tá batéria nutná bola.  Však nikto nie je neomylný tak čo z toho robíte takú vedu. Ospravedlnte sa a aspoň čitatelia budú vidieť, že nie ste namyslení egoisti.

Pozor, aby nedošlo s omylu! Z článku nevyplývý, že se jedná a 10miliard PŘÍSTUPŮ, ne zápisů!!!
Každé čtení je také přístup, princip paměti je zcela jiný!! Paměti se hodí jen na speciální použití, kde
je omezen počet čtení. Pro normální EEPROM je omezen jen počet zápisů, ale číst jdou v podstatě nekonečně krát. U FRAM to tak není. Alespoň pokud jde o stejný typ paměti, jaký vyrábí Ramtron, kde jsou obdobné parametry v počtu přístupů - tam je přímo napsáno, že Endurance > 10 billion read/write.

Pamate RAM a ROM? A nepatria nahodou pamate ROM do skupiny pamati RAM??? Skor by sa hodilo pisat "Pamati RWM a ROM"...

xox: dovol mě citovat "Jedná vec je prebrať informácie, lenže podľa mňa je vecou osobnej cti si informácie overiť a chyby opraviť." - víš, upravovat informace, to se dělalo dříve, když jsme ještě byli Československá Socialistická Republika. Prostě sem dali informaci o FRAM od Fujitsu a hotovo. Nemůžou to tu rozepisovat na stránky, ale pár slov a kdo má zájem tak odkaz. Tohle je totiž informační server a ne něco jako www.cnn.com, kde máš ke článku "Bill Gates má manželku" i o historii jeho firmy, kolik vydělává, co je to Microsoft, co je to Linux, co je to OS, atd.
Mimo to, kdo o toto téma má zájem, tak si stejně zajede někam jinam najít informace. A kdo ne, tak tomu je jedno, jestli je to 1Mbit FRAM, nebo jestli je to EEPROM či ECIKÁN :)

Lord Helma: Hezky řečeno :)

martin: Jestli by nějakej primitiv kvůli tomu chtěl jít na pěsti, tak to by bylo pod úroveň všech zde přítomných, mou i tvou. To "už" jsi mazat kvůli tomu nemusel :)

hlodi: Možná ti nerozumím, ale asi se mýlíš (opačně se omlouvám).: ROM=Read Only Memory - za normálních okolností se nedá zapisovat
RAM=Random Access Memory - stručně rečeno, můžeš číst a zapisovat kolikrát chceš

Aleš: Ano, to je pravda. Jak píšeš o EEPROM, tak to je i u SIM karty (která je vlastně EEPROM) - operátoři kupují různé série a tak jedná má počet operací (myslím zápis a čtení) 10000, další 15 000, atd. A když to překročíš, tak jsi skončil se SIM. Kvůli tomu jsem si musel vyměňovat u Oskara SIM (jednou za rok můžu zdarma). Zápis a čtení je už jenom zapnutí a vypnutí (jak u telefonu, tak u čehokoliv jiného, na co to jde aplikovat)

MildaIV: Něco jiného. CPU a FRAM je něco docela jiného (ačkoliv se to tak nezdá)

To Petr: RAM znamena Random Access Memory, teda pamat s NAHODNYM pristupom, tzn. mozeme si vybrat, s ktorou pamatovou bunkou chceme pracovat. ROM znamena Reda Only Memory, teda pamat, s ktorou sa moze pracovat iba v rezime citania (programovatlne pamate maju "specialny rezim" pre zapisovanie). RWM znamena Read Write Memory, teda pamat pre citanie aj zapis. To, ze mame RAM, znamena to, ze mame pamat, do ktorej mozeme pristupovat ako chceme (tzn. si mozeme vyberat bunky v nahodnom poradi), nehovori to nic o tom, ci je mozne do pamate zapisovat. Tu je mensi problemik v terminologii. Zhrnutie: pamate typu RO a RW patria do skupimy pamati RA.