Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Diskuse k 2nm proces TSMC využije nanosheets, do budoucna se zvažuje CFET

Peter Fodrek | 17. 6. 2022 - 09:49

>navrstvit polovodiče typu P a polovodiče
>typu N přímo na sebe.

Neviem, ako si mám toto v súvislosti s unipolárnym tranzistorov vysvetliť..

Pekné by bolo, keby išlo o pár NMOS a PMOS tranzistorov nad sebou s napájaním a "zemou" nad a pod párom, teda virtuálny neexistujúci "CMOS tranzistor"

+1
+2
-1
Je komentář přínosný?

Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.