Celkově vzato poptávka po NAND flash výrazně převýšila nabídku na trhu ve třetím čtvrtletí minulého roku a od té doby tento stav trvá. I to je věc zodpovědná za smutnou skutečnost, že někteří výrobci smartphonů byli nuceni se uchýlit k použití horších čipů ve svých hi-end smartphonech, neboť nedostatek NAND flash nepochybně znamená také nedostatek rychlé UFS varianty.

Jak se říká, „letos už to nějak doklepeme“ a dle analytiků z DRAMeXchange by to příští rok mělo být lepší, a to navzdory dalšímu růstu trhů od smartphonů až po servery. Hlavním důvodem nedostatku je totiž vlekoucí se přechod výroby od 2D k 3D (vícevrstvým) čipům i menších výrobců (Samsung už tento přechod má za sebou a jistě můžeme do tohoto pytle hodit i IMFT, případně rozjíždějící se Toshiba a Hynix). I díky rostoucímu počtu vrstev v čipech (aktuálně 64 / 72 vrstev dle výrobce) se situace zlepší.

Už za letošek mají 3D čipy dosáhnout na polovinu celkového množství na trhu. Přístí rok jejich podíl vzroste dokonce na 70 %. U Samsungu má jíž o 60 až 70 %, u SK Hynix o 20 až 30 % z dodávek dané firmy na trh (SK Hynix se ke konci příštího roku vyšplhá na 40 až 50 % čipů typu 3D/vrstvených). U Toshiby/SanDisku/WD) je to aktuálně zhruba 30 %, příští rok má dojít k nárůstu na 50 %.

Jak ale DRAMeXchange dodává, s ohledem na prodej paměťové divize Toshiby a spory s WD není zatím jisté, jakou roli / jakýosud čeká továrnu Fab6 v Yokkaichi, která má být celá určena k 3D výrobě NAND flash. Intel s Micronem pak už letos dodávají 40 až 50% v 3D podobě, příští rok chtějí podobně jako Samsung dosáhnout na 60 až 70% podíl.