Na celé věci je asi nejzajímavější zrychlení přechodu na nový výrobní proces. Zatímco na 20nm proces přejde Globalfoundries (z 28nm) teprve příští rok (tedy po dvou letech), 14nm hodlá zákazníkům naservírovat pouze o rok později, tedy v roce 2014. Zní to možná až hodně odvážně, počkejme si tedy na realitu.

Pokud jde o samotné určení výrobního procesu, Globalfoundries asi nedělá žádnou velkou chybu, když se snaží zaměřit především na vynikající energetickou spotřebu (tedy aby byla co nejnižší), protože jak svět stále více spěje do mobilního segmentu, tak je jasné, že výdrž koncového zařízení na jedno nabití bude čím dál tím víc důležitější. Klíčovou součástí mimo jiné i samotného přechodu na 14nm proces je to, čemu u Intelu nějaký čas říkali „3D tranzistory“ (nyní více používají termín „tri-gate“), zde označované jako FinFET (což je v podstatě obecné označení „vertikálního tranzistoru“ bez nějakého marketingového přikrášlení).

Právě ten umožnil, že se z 20nm procesu stane 14nm (ty tranzistory jsou prostě plošně menší, přestože de facto sedí na 20nm-LPM procesu). Globalfoundries tvrdí, že čipy takto vyrobené by měly prodloužit výdrž baterie o 40 až 60 %.

Celou prezentaci si můžete prohlédnout níže v galerii.