Ať již bude chlouba kanadské ATI, grafický procesor R580 chystaný na příští rok, používat na kartách GDDR4 paměti či nikoliv, bude si moci rovnou vybírat z více táborů. Prvním je společnost Samsung, která přibližně před měsícem oznámila, že má k dispozici první testovací vzorky GDDR4 pamětí, a nyní ji s obdobnou zprávou následuje i korejský Hynix Semiconductor.

Firma tedy včera oznámila dostupnost 512Mbitových paměťových čipů GDDR4. Ty jsou v konfiguraci 16M×32, přičemž pracují na frekvenci 2 900 MHz s datovou propustností 11,6 GB/s. Připomeňme, že Samsung má do konce roku v plánu dostat z nich „jen“ 2 800 MHz, ale možná že nyní své plány patřičně přehodnotí. Vraťme se však k Hynixu. Ten nyní tedy začíná rozesílat svým partnerům vzorky těchto pamětí s tím, že sériová výroba se plánuje na začátek roku 2006. Ve druhé polovině příštího roku má pak v plánu navýšit propustnost těchto pamětí na 14,4 GB/s, což by odpovídalo frekvenci 3 600 MHz.