Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
> Budoucí 5nm čipy by měly oproti současné špičce, tedy 10nm generaci, dávat o 40 % vyšší výkon při stejném odběru
Z toho mam pocit, ze jde o 5 marketingovych nanometru :) nemuzu rict ze jsem prekvapenej...
Samozrejme preboha, hadam si necakal 5 nm tranzistory alebo co i len cokolvek velke 5 nm.
Staci sa pozriet na porovnanie vyrobnych technologii:
http://cdn.overclock.net/0/0c/500x1000px-LL-0c997421_3c162f8d_6.jpeg.
Dnesne tranziatory su bud 3-gate alebo 5-gate, takze rozmery si este vysobime tromi ci piatimi.
A ono ozaj, ked si matematikou ZS spocitame aku plochu dnes zabera jediny tranzistor (napr. 2-3 miliardy tranzitorov na ploche 1 cm^2), vyjde nam dnes cca rozmer celeho tranzistora cca 250 nm x 250 nm.
To hausnumero zacalo mat marketingovy charakter davno pred 130 nm pred 15 rokmi, vlastne neviem ci vobec volakedy malo to hausnumero zmyselny charakter a oznacovalo realny rozmer niecoho.
tak ono se tim oznacovala "gate length" nebo jinak receno "feature size" na obrazku dole to "L"
https://i.stack.imgur.com/tXa9H.png
jestli to stale plati ? nemam tuseni, rekl bych, ze treba u inteliho 22nm by to mohlo jeste platit
no tuto chlapik v case 278s hovori ze hej, aj ked ani to sa mi nezda a keby to tak doteraz naaaahodou bolo, odteraz to tak uz iste nebude, lebo by to zosrotovala kvantova mechanika ... proste izolacna medzierka v obvode velka 5/7/10 nm je cira sprostost, nakolko pre 5 nm to je iba 10 atomov Si
https://youtu.be/rtI5wRyHpTg?t=279https://youtu.be/rtI5wRyHpTg?t=278
LOL
Za prvé: vlákno začalo citovaním posunu vo výkone, ktorý je vlastne pozoruhodne dobrý. +40% je skvelé, nevravte že nie. Najmä v porovnaní s Intelom, ktorý sa v tomto ohľade podstatne zhorší (zhruba -30% výkonu prechodom na 10nm, podľa toho čo uvádzali na manufacturing day).
Tak najprv si prečítať načo reagujete predtým ako začnete flame.
Za druhé: plačete tu že tie rozmery diktované Intelom nezmenšujú tak ako si predstavuješ... Tak pozri. Túto metodológiu si presadzuje Intel, je teda jej účelom aby tam Intel vyzeral dobre a ostatní blbo. Dokážeš to pochopiť?
Za tretie: K reálnym rozmerom. Schéma tranzistora ktorú používate je totálne mimo. Doporučujem si o tom pozrieť aspoň elementárne základy.
http://www.techinsights.com/techinsights/img/teardown/samsung-galaxy-s8/...
Takto vyzerá 10nm bunka Samsungu. Ako vidíte, do tých 68nm sa tam vôjde dosť veľa vecí a minimal feature size je podstatne menšia ako 10nm.
na tom obrazku cos postnul ona gate length neni videt, ta by byla do hloubky te fotografie AFAIK
ignore
> Za prvé: vlákno začalo citovaním posunu vo výkone, ktorý je vlastne pozoruhodne dobrý. +40% je skvelé, nevravte že nie.
No, kdyz si vemu ze slo o srovnani 5nm a 10nm (tj skok = dva nody), tak spatne to neni, ale ani zadnej zazrak.
Ďakujem za spomenutie slova zázrak. :D U Intelu sme si zvykli že nový proces sa rovná nevyhnutnému poklesu vo výkone a tvrdia nám že na 7 a 5nm to bude ešte. Takže myslím že v tomto kontexte to taký malý zázrak je. :D
Do kategórie "nieje to zlé" by som to zaradil ak by to kleslo o 40% (pretože by to bolo horšie ako Intel ale stále by to nebolo -100% :D). Kategória "celkom dobré" alebo "lepšie ako priemer" by bola pokles o 20%, pretože tým by boli stále lepší ako nespochybňovaný líder na trhu s polovodičmi.
Všetko v kontexte nevyhnutného poklesu výkonu.
Ale inak samozrejme proti tomu čo je zvykom pri TSMC to je celkom bežné.
Takhle se velikost transistoru pocitat neda, jednak velikost se bude lisit i v zavislosti na pouzit, a navic zapominas na ty kilometry vodivych spoju, ktere si ukousnou asi nejvetsi cast z celkove plochy.
To,o kolika nm proces se jedna, je urceno jako 1/3 tzv, Fin Pitch a da se rict ze vicemene jde o urceni rozlisovaci schopnosti procesu a ne ovelikost celeho tranzistoru.
extremni ultralitografie :)
Klasicka jezkovina
Jeste by se dalo pridat slovicko "hyper".
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.