Je už téměř pravidlem, že to je právě IBM, která s každou novou výrobní technologií představí jako první nejrychlejší eDRAM (embedded DRAM), tentokrát tedy na 32nm SOI technologii. Ono to ostatně není vůbec divné, však je to IBM, která je právě největším tahounem ve výzkumu výrobních technologií polovodičových čipů. Různé eDRAM paměti najdete v mnoha zařízeních, například třeba v Xboxu 360 a i tato si najde cestu do různých výrobků spotřební elektroniky ale i do počítačů a serverů, s menším rozměrem však poskytne vyšší rychlost a nižší spotřebu, IBM u ní uvádí lateci už pod 2 ns.

Máme tu tedy zatím nejmenší paměťovou buňku, co se do fyzického rozměru týče, jež je rychlejší než na 32 a 22 nm v současnosti vyráběné SRAM a srovnatelná s SRAM na 15 nm, které teprve přijdou. Je i dvakrát menší oproti eSRAM na 22 nm a čtyřikrát menší než eSRAM na 32 nm. Oproti SRAM si tyto nové eDRAM vystačí se čtyřikrát menším příkonem v klidovém stavu (pro udržení zaznamenané informace) a jsou tisíckrát odolnější proti chybám způsobovaným elektrickými náboji. Přijdou tak čipy, které budou menší, účinnější a zpracují i více dat a oproti SRAM jsou i spolehlivější. Ve vývoji je už ale i 22nm technologie a spolu s touto 32nm bude popsána na International Electron Devices Meeting v prosinci.