IDF 2009: Intel má vzorek 22nm procesem vyráběné SRAM
Když se ladí nové výrobní procesy, obvykle to bývají SRAM, které jako první zkušební čipy sjedou z výrobních linek (coby SRAM se dělá cache v procesorech). Nejinak je tomu i u 22nm procesu, na kterém pracují v Intelu, kde mají první funkční takto vyráběné SRAM, konkrétně vzorek Intelu obsahuje 364 miliónů bitů (z něj by tedy šlo čistě teoreticky vyrobit 45,5 MB cache ;-). Testovací kousek křemíku, který ve výsledný čip chvilku škádlilo světlo o vlnové délce 192 nm, obsahuje 2,9 miliardy tranzistorů.
V Intelu předpokládají, že podle plánů budou procesory vyráběné 22nm technologií se třetí generací high-k tranzistorů sjíždět z výrobních linek ve druhé polovině roku 2011.