Společnost Intel 3. dubna na svém webu krátce informovala o vyvíjených P-kanálových tranzistorech na substrátu křemíku za použití „polovodičů skupiny III-V“ (sloučeniny prvků ve třetím a pátém sloupci periodické tabulky prvků, samotný křemík je mezi nimi ve čtvrtém sloupci). Intelu se takto podařilo vytvořit dosud nejvýkonnější tranzistory, přičemž již před rokem informoval o N-kanálových tranzistorech opět s polovodiči skupiny III-V na substrátu křemíku.

Intel má zálusk na kombinaci jak zmíněných P-kanálových, tak i N-kanálových tranzistorů, které by se mohly stát základem budoucích integrovaných obvodů. V praxi by to znamenalo, že si tyto tranzistory vystačí s polovičním napájecím napětím v porovnání se současností a pouze desetinovými energetickými nároky. Pokud bychom čistě teoreticky postavili z takovýchto materiálů procesor Intel Core i7, mohli bychom tu mít nejrychlejší x86-kompatibilní procesor, který by se dal s přehledem uchladit pasivně. Protože však od těchto výzkumů k reálnému nasazení uplyne ještě hodně vody, můžeme se nanejvýš tak kochat myšlenkou, že vývoj procesorů a materiálů, z nichž budou vyráběny, neusnul na bobkovém listí. Vlastně by nás docela překvapilo, kdyby se tak skutečně stalo.