Firma Samsung oznámila, že začne se sériovou výrobou PRAM pamětí v červnu tohoto roku a půjde o 512MB moduly. PRAM je typ paměti, která pro záznam dat používá změnu fáze formou změny stavu materiálu z krystalické na amorfní vlivem tepla, tedy je to něco podobného, co známe z CD-RW a DVD±RW médií. Tento druh pamětí kombinuje výhody NAND a NOR technologií, což ve výsledku dává až 30násobnou rychlost oproti flash NAND a také by měly mít desetkrát delší životnost. Samsung začne s výrobou na 200mm křemíkových deskách s využitím 65nm technologie.

První zprávy o PRAM se objevily už v roce 2005, v něm také Samsung vyrobil první pilotní kousky 256MB modulů, my jsme v této souvislosti uváděli výzkumné snahy o vyvinutí pamětí s fázovou změnou společností Infineon, IBM a Macronix. Bližší informaci o PRAM technologii jsme vám předložili koncem roku 2006, to šlo stále o záležitost společností Qimonda (dceřinka Infineon, nyní v konkurzu), IBM a Macronix, myslíme si, že Samsung zde šel ale vlastní cestou, však také v oblasti nových typů pamětí spolupracuje především se společností Hynix.