Toshiba přichází s novými NAND flash pamětmi s tzv. Double Data Rate (DDR), které nabídne jak u MLC (Multi Level Cell), tak i SLC (Single Level Cell). Tyto MLC čipy bude prodávat s kapacitami 64, 128 a 256 Gbitů (8, 16 a 32 GB), SLC budou mít velikosti přesně poloviční, všechny pak budou v 132 BGA provedení. S DDR dosahují NAND flash vyšších rychlostí oproti tradičnímu asynchronnímu přenosu, jejich DDR mód NAND flash má rozhraní poskytující až 133 Mbit/s, což je opravdu o dost více než SDR SLC nabízející 40 Mbit/s.

DDR NAND flash Toshiba se rovněž obejde bez časovače, takže je i energeticky méně náročná, pro generování vstupního i výstupního signálu má obousměrný DQS (synchronní taktovací impuls) využívající náběžné i sestupné hrany signálu pro mazání zápisem, zabezpečení menších přeslechů je realizováno vlastním interní přerušením. Toshiba se spolu s firmou Samsung před časem zavázala, že budou společně pracovat na druhé generaci DDR NAND flash, která bude schopna pracovat až s rychlostí 400 Mbit/s.