Nvidia Blackwell B100 tvoří 2 čiplety + 192 GB HBM3e
Architektura Blackwell najde uplatnění jak v segmentu výpočetních / AI akcelerátorů, tak v herních systémech. Samozřejmě, jak je už po několik generací pravidlem, se výbava architektury v obou segmentech bude lišit podle jejich potřeb, základ ale zůstane stejný. Zatímco vydání herních čipů nastane podstatně později (původně je Nvidia měla v roadmapě na začátek roku 2025, ale poslední měsíce se proslýchá, že by je ráda vydala ještě v letošním roce), výpočetní varianta bude představena již nyní na GTC.
Podle leakera XpeaGPU plánuje CEO společnosti Nvidia Jen-Hsun Huang představit akcelerátor Nvidia B100 a Nvidia B200. Oba stojí na GPU GB100, které má být tvořeno dvojicí čipletů / modulů / dlaždic, zkrátka dvou kusů křemíku. Ty budou zapouzdřeny pomocí technologie CoWoS-L a vybaveny celkem osmi moduly („čipy“) HBM3e paměti.
Lišit se budou v provedení HBM. Zatímco letos (konkrétní datum zatím není známo) dojde na vydání B100 s osmi osmivrstvými HBM3e o celkové kapacitě 192 GB (tj. 24 GB na modul, respektive 3 GB na vrstvu), na příští rok se chystá B200 s osmi dvanáctivrstvými HBM3e o celkové kapacitě 288 GB (tj. 36 GB na modul, stále se 3 GB na vrstvu).
Pouzdření CoWoS-L je variantou pouzdření CoWoS, která je vyvinuta pro zařízení, jež potřebují interposer (křemíkovou podložku) o rozměrech větších, než bylo doposud možné. Možná plocha může být 3,3× vyšší než u dosavadních podložek, což je zhruba šestinásobek oproti maximální ploše monolitického čipu vyrobeného u TSCM (6× reticle limit). Připomeňme, že TSMC loňském roce připravila původně neplánované rozšíření pouzdřících kapacit využívajících technologii CoWoS.