Společnost Samsung Semiconductor ohlásila dokončení vývoje NAND flash čipů o kapacitě 16 Gbitů (v logickém uspořádání 2G×8). Ty naleznou uplatnění primárně v paměťových kartách o kapacitě až 32 GB (což už konkuruje spoustě pevných disků v noteboocích) a zařízeních typu iPod nano společnosti Apple (pro který dodává flash paměti právě Samsung). Čipy mají dvojnásobnou kapacitu než nedávno uvedené 8Gbitové od společnosti Micron.

Čipy jsou vyráběny 50nm výrobním procesem a budou k dispozici ve dvou typech pouzder: 48pinovém TSOP (12×20×0,5 mm) a 52pinovém TLGA (12×17×1,0 mm). Napájecí napětí pak může být v rozsahu 2,7 až 3,6 V (typicky 3,3 V), pracovní teplota je 0 až 70°C (pro „komerční“ prostředí) resp. -40 až 85°C (pro „průmyslové“ prostředí). Momentálně jsou čipy ve stádiu testovacích vzorků, sériová výroba je v plánu někdy na druhou polovinu příštího roku.