Samsung se pochlubil prvními kousky 64Gbitových flash NAND paměťových čipů vyrobených 30nm technologií. Podle jejich zprávy je vůbec prvním na světě, kterému se to povedlo. Je to už osmý rok po sobě, co se daří každý rok zdvojnásobit hustotu pamětí a sedmý rok, co se zmenšováním výrobního procesu zvyšuje kapacitu NAND flash pamětí, počínaje rokem 2001, kdy se objevil 1Gbitový NAND na 100 nm technologii.

Samsung použil nový výrobní proces zvaný „self-aligned double patterning technology (SaDPT)“, což zjednodušeně představuje použití 60nm litografie, ale dvakrát po sobě s posunutím o 30 nm. Lépe než nějaký popis to vystihuje obrázek dole. Pro další zmenšování má ale Samsung už novou technologii zvanou Charge Trap Flash (CTF), se kterou přišel také nedávno, ta už bude určena pro 20 nm a zatím jsou s ní schopni vyrobit čipy s kapacitou 32 Gbit. SaDPT je ale velmi levná, protože využívá současného výrobního zařízení a nevyžaduje žádných velkých investic. Firma počítá, že s hromadnou výrobou 64Gbitových NAND flash čipů začne v roce 2009. Při výrobě bylo použito 30 nových patentů.

Podle Gartner Dataquest by v letech 2009 až 2011 mohl obchod s 64Gbitovými NAND flash pamětmi představovat až 20 miliard USD.