Společnost Samsung hlásí, že jako první na světě vyvinula 4Gb DDR3 DRAM čip vyrobený 50nm technologií, díky čemuž bude i úspornější a bude vyhledávaným pro nejeden počítač či server, který bude chtít nést označení „zelený“. Tyto čipy se dají použít jak pro 16GB registered RDIMM pro servery i 8GB DIMM a SODIMM pro počítače a notebooky. Samsung využívá tzv. „dual die“, což umožňuje kompletovat moduly s kapacitou až 32 GB. Paměť pracuje na 1,35 V, vezme si tedy o 10 % méně než je doporučený standard 1,5 V pro DDR3, maximální rychlost Samsung udává 1,6 Gb/s. Firmě to trvalo ani ne pět měsíců, aby s 50nm technologií zvětšila kapacitu vlastních DDR3 pamětí ze 2 Gb na 4 Gb.

Podle odhadu IDC budou mezi všemi DRAM pamětmi DDR3 letos představovat asi 29 %, ale v roce 2011 už to prý bude 75 %.