Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Diskuse k Samsung ohlásil 3nm MBCFET proces nové generace

Jaroslav Crha | 17. 5. 2019 - 14:02

A bude to mít taky ty chyby spektre a meltdown jako předchozí generace? Bez nich to jaksi není ono.

+1
0
-1
Je komentář přínosný?
Mali | 17. 5. 2019 - 15:50

No rekl bych ze jo.

Pac Intel je ocividne neschopnej dotlacit 10nm do rozumneho stavu. Takze dost mozna bude pokukovat po takovyhle vyrobnich moznostech. A pac je to filuta a pri navrhu architektury se snazi vyvodit nake to procentiko za cenu vyssiho rizika...

+1
0
-1
Je komentář přínosný?
Jon Snih | 17. 5. 2019 - 15:50

S velkou pravděpodobností bude využívat nějakou formu double-pattering EUV.
Více zde: https://semiengineering.com/single-vs-multi-patterning-euv/

+1
0
-1
Je komentář přínosný?
RIKK | 17. 5. 2019 - 20:19

MCBP FET

+1
-1
-1
Je komentář přínosný?

Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.