Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Samsung ohlásil 3nm MBCFET proces nové generace

Již řadu let se mluví o tom, že technologii FinFET pomalu (po 7nm procesu ale již docela rychle) dochází pára. K alternativním cestám vývoje patří GAAFET nebo Samsungem vylepšená varianta, MBCFET…

Podobně, jako byl FinFET nástupcem planární technologie, tak se GAAFET stane (přinejmenším dočasně) nástupcem FinFET. V čem má FinFET rezervy?

Kanál je obklopen jen částečně (obrázek výše), přičemž čím je kontakt větší, tím lepší vlastnosti proces má. Na řešení tohoto problému léta Samsung spolupracoval s IBM a výsledkem byla jejich společná verze technologie GAAFET (GAA = Gate All Around):

Ta nahradila kanál sérií nanodrátů, díky nimž bylo dosaženo kýženého efektu - obklopení kanálu po celém jejím obvodu. Problémem, na nějž Samsung (který již v dalším vývoji pokračoval sám) narazil při implementaci, byla velmi obtížná integrace nanodrátů, které jsou zkrátka příliš tenké na to, aby se s využitím dohledně dostupných výrobních technologií daly implementovat dostatečně kvalitně. Samsung tedy začal vyvíjet variantu, kterou nazval MBCFET, jež by zachovala výhody GAAFET, ale umožnila snazší implementaci při použití dostupných výrobních nástrojů. MBCFET spočívá v rozšíření nanodrátů (kanálů) na jakési proužky či svitky, jak vidíte v úvodním obrázku.

Ve výsledku tak lze (při určitém zjednodušení) na MBCFET nahlížet jako na FinFET s otočenou konstrukcí. Kanály jsou ovšem obklopeny za 360°.

Prvním MBCFET procesem Samsungu bude 3nm. Společnost očekává možnost snížení napětí až pod 0,75 voltu. Spotřeba (oproti 7nm výrobě) by měla klesnout o 30 %, plocha o 45 %. To nejsou vysoká čísla, např. ve srovnání s 5nm procesem TSMC, který slibuje 80 % zvýšení denzity (tedy rovněž 45% snížení plochy), ovšem 3nm MBCFET zároveň umožní zvýšení taktovací frekvence o 40 % při zachování spotřeby, což je na poměry jiných avizovaných procesů velmi příjemný pokrok. Další výhodou je pak kompatibilita s FinFET nástroji a linkami, což může znatelně urychlit nasazení sériové výroby na tomto procesu.

Samsung očekává nasazení 3nm procesu, který ve svých roadmapách označuje jako 3GAE, podle následujícího rozvrhu: První tape-out by měl proběhnout během roku 2020, riziková výroba bude spuštěna do konce roku 2020 a velkokapacitní sériová výroba někdy na podzim 2021. Pokud by tento proces oslovil Apple, mohl by se objevit již v iPhonech vydaných na konci roku 2021, ovšem jde o více než dva roky vzdálenou budoucnost a s procesy to častěji vychází hůře oproti očekávání (než lépe nebo podle očekávání), takže šance, že by to vyšlo, asi nebude vysoká.

Zdroje: 

Diskuse ke článku Samsung ohlásil 3nm MBCFET proces nové generace

Pátek, 17 Květen 2019 - 20:19 | RIKK | MCBP FET
Pátek, 17 Květen 2019 - 15:50 | Mali | No rekl bych ze jo. Pac Intel je ocividne...
Pátek, 17 Květen 2019 - 15:50 | Jon Snih | S velkou pravděpodobností bude využívat nějakou...
Pátek, 17 Květen 2019 - 14:02 | Jaroslav Crha | A bude to mít taky ty chyby spektre a meltdown...

Zobrazit diskusi