Je tomu jen o pár dnů déle než rok, kdy společnost Samsung představila světu vlastní technologii výroby paměťových čipů, kde se v jednom pouzdře skrývalo více na sobě navrstvených křemíkových čipů (označované pojmem „die“). Nazvali to „wafer-level processed stack package“ (WSP) a zvládali tehdy zkušební výrobu osmivrstvých čipů (zde již ve smyslu zapouzřené součástky) pomocí 50nm výrobního procesu. Doba však pokročila.

Z WSP vycházející TSV technologii budou využívat nově představené 2Gbitové DDR2 čipy, které uvnitř nesou celkem čtyři 512Mbitové die vertikálně propojené měděnými spoji. To dává Samsungu možnost vyrábět standardní DDR2 DIMM paměťové moduly o celkové velikosti 4 GB. V současné době dosahované rychlosti sice výrobce nezmiňuje, ale naznačuje, že v budoucnu mohou mít současné technologie s 1,6GHz pamětmi (že by mysleli DDR3-1600?) výkonové problémy, které se jim pomocí WSP/TSV a speciálního zapouzdření tvořeného tenkou hliníkovou vrstvičkou, podařilo vyřešit. Dodává, že s touto technologií budou schopni vyrábět stále rychlejší a menší paměťové čipy i v roce 2010 a dále.