Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Samsung představil 3D balící technologii pro paměťové čipy

Samsung WSP čip
Společnost Samsung zase přidala další technologii do balíku těch používaných při tvorbě paměťových čipů. Pod názvem „wafer-level processed stack package“ (WSP) se skrývá nový způsob připojování více čipů v jednom pouzdře k PCB. Samsung jich v tuto chvíli umísťuje osm na sebe a problémem se stává jejich připojení k okolnímu světu. Ruku v ruce se zmenšujícím se výrobním procesem jde i potřeba zmenšování vzdáleností mezi přípojnými signálovými „vodiči“. Mezi nimi pak hrozí vzájemné rušení vzhledem k příliš malému vzájemnému odstupu, takže Samsung přichází s novinkou ...

Napojení jednotlivých čipů realizuje svislými „vodiči“ jdoucími skrze čipy ležící mezi připojovaným čipem a PCB. Do těchto čipů se prostě laserem „vyrazí“ průchozí (mikroskopické) dírky, které se následně vyplní vodivým materiálem. Řada takto navrstvených vodivě vyplněných děr následně tvoří svislý přípojný vodič mezi vrchním čipem a PCB. Na obrázku pak vidíte i jakou úsporu místa to přináší, WSP prototyp v sobě nese osm čipů o tloušťce 50 µm.

Oproti stávajícím vícevrstvým čipům typu 16Gbitových NAND flash, které mají připojení k PCB realizováno ještě „konvenčním“ způsobem, přináší dle Samsungu WSP úsporu až 30 % v tloušťce čipu a až 15 % ve zbývajících dvou rozměrech. WSP metoda pak stojí i za úsporou nákladů při výrobě, kdy odpadají některé výrobní kroky, nově nahrazené pouze „vrtáním děr“ laserem. Stejně tak, což jistě řadu z vás napadlo, díky svislým přímým propojkám se zkracuje délka vodičů mezi čipem a PCB, což umožňuje navýšení frekvence bez zvýšení rizika vzájemného ovlivňování signálových cest.

Ideálním odbytištěm je segment přenosných zařízení typu PDA či mobilních telefonů, kde se mimo jiné klade důraz i na co největší kapacitu při co nejmenších rozměrech. Flash paměti (a tudíž i desktopové/notebookové Solid State disky) jsou dalšími vhodnými adepty pro nasazení takovýchto čipů. Jejich rychlosti totiž nejsou nikterak závratné. Myslíme tím třeba ve srovnání s GDDR3 pamětmi, tepajícími na 900 MHz, efektivně 1 800 MHz a přenášejícími řádově mnohonásobně více dat. U těch by totiž při nějakém masivním vrstvení čipů na sebe již nastával fatální problém s odvodem vznikajícího tepla, což u Flash nehrozí.

A kdy se toho dočkáme? Samsung plánuje rozjet výrobu NAND pamětí WSP metodou počátkem příštího roku. Později se k tomu přidají modifikace v zapouzdření těchto vícevrstvých čipů, kdy by mělo dojít i k nasazení této technologie ve výrobě paměťových čipů pro serverové nasazení.

Zdroje: 

David "David Ježek" Ježek

Bývalý zdejší redaktor (2005-2017), nyní diskusní rejpal.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku Samsung představil 3D balící technologii pro paměťové čipy

Středa, 19 Březen 2008 - 10:05 | Anonym | Byt po mem zadnou ceskou odbornou (odpornou)...
Čtvrtek, 21 Září 2006 - 09:17 | Anonym | "balení" je fakt prasárna. Tyhle...
Úterý, 18 Duben 2006 - 17:31 | Anonym | Opravdu nechci vyvolat nějakou roztržku, ale...
Úterý, 18 Duben 2006 - 16:56 | Tom V | Musim se zastat DIL28: Vzivote jsem neslysel u...
Úterý, 18 Duben 2006 - 10:42 | Anonym | DIL28: Je zasadni rozdil ve vyznamu mezi...
Úterý, 18 Duben 2006 - 07:58 | Anonym | DIL28: fajn, takže ne "Windows BOOT&...
Pondělí, 17 Duben 2006 - 22:57 | Anonym | DIL28: Tahle "hrůza", jak to...
Pátek, 14 Duben 2006 - 20:59 | Anonym | "Balení, balící" co to jsou za...
Pátek, 14 Duben 2006 - 13:35 | Anonym | Nechci být hnidopich , ale pokud se budou tyhle...

Zobrazit diskusi