Společnost Samsung Electronics oznámila hrdě světu, že jako první nasazuje 80nm výrobní proces do sériové výroby 512Mbitových DDR2 paměťových čipů. Už předloni se jim tímto procesem podařilo vyrobit první vlaštovku v podobě 2Gbitového DDR2 paměťového čipu, takže technologii nyní dotáhli k velmi slušné výtěžnosti výroby. Společnost dokonce hovoří o tom, že s 80nm výrobním procesem dosáhli 50% zvýšení efektivnosti výroby (bodejť by ne, na křemíkovou desku se tak vejde daleko více čipů).

Nástup 80nm procesu byl u Samsungu možný díky minimálním nutným změnám a úpravám výrobních linek oproti 90nm procesu. Dále firma ve výrobě používá technologii Recess Channel Array Transistor (RCAT). Jedná se o trojrozměrný návrh tranzistorů, který ve výsledku výrazně zvyšuje obnovovací frekvenci a vede právě také ke zmenšení rozměrů paměťové buňky.