Když v roce 2017 unikly první údaje o 4nm procesu Samsungu, vyplynulo z nich, že již nebude postaven na technologii FinFET, ale vznikne z GAA. Postupem času ale Samsung změnil plány a rozhodl se, že GAA, konkrétně tedy MBCFET, použije až na 3nm generaci a 4nm ještě zůstane na FinFET (samozřejmě s použitím EUV litografie). Varianta 4nm LPE (low-power early) měla být k dispozici v roce 2020, později však byl tento plán přehodnocen na rok 2021. Varianta 4nm LPP (low-power plus) v roce 2022.

Nyní se objevily zprávy, že 4nm proces Samsung zcela vynechá, takže v rámci této generace nevznikne ani jedna zmíněná varianta. Po 5nm generaci nastoupí až 3nm s technologií MBCFET. Za touto změnou pravděpodobně stojí jedna z následujících dvou možných příčin: Buďto Samsung zaznamenal nějaké potíže s vývojem 4nm generace, nebo dospěl k poznání, že Apple o 4nm LPE proces nebude mít zájem (LPE procesy Samsung vyvíjel ve snaze získat zakázky Applu) a v přípravě tak nemá smysl pokračovat. Proč by byl rušen i 4nm LPP? Protože ten je plánován na rok 2022 stejně jako 3nm proces a sám o sobě by neměl šanci zákazníky příliš oslovit (nebudou navrhovat čip pro proces, který bude v řádu měsíců nahrazen o generaci lepším řešením).

Konkurenčně to pro Samsung ale příliš dobré není, v podstatě tím naservíruje zákazníky 5nm procesu TSMC. Ten po stránce denzity představuje generační skok oproti 7nm výrobě a po stránce spotřeby a taktů mírnou evoluci. 5nm proces Samsungu představuje ve všech ohledech mírnou evoluci 7nm výroby, takže 4 nanometry měly být tím, co by se mohlo úspěšně postavit proti 5nm generaci TSMC. Samsung se evidentně snaží více zaměřit na kritický 3nm proces, kterým může konkurenci výrazněji utéci. Naposledy se však podobná strategie Samsungu nevyplatila: Když se pokusil TSMC předběhnout s nasazením EUV na 7nm procesu a verzi bez EUV zcela vynechal, narazil na potíže a zatímco TSMC přešla na 7nm proces, na 7nm EUV proces a na 6nm proces, Samsung stále řešil potíže.