Podle dosavadních informací jsme tu přibližně měsíc či dva měli mít Samsungovy GDDR4 paměti na efektivní frekvenci 2 800 MHz, zatímco konkurenční Hynix sahal ještě o 100 MHz výše. Věc se však nově má o něco jinak, a to v dobrém slova smyslu. Společnost Samsung totiž ohlásila, že se jí podařilo vyvinout rychlejší verzi GDDR4 pamětí, běžící efektivně rovnou na 3 200 MHz, což odpovídá přístupové době 0,6 ns (ano, již se blíží doba, kdy začneme používat jako jednotku pikosekundy!). Výroba probíhá 80nm procesem. Značení se nám přirozeně trochu změnilo: K4U52324QE-BC06. Pokud bychom si dovolili vycházet z datasheetu GDDR1 až GDDR3 pamětí, pak vězte, že tyto nové GDDR4 paměti jsou typu 512M×32×8banks, napájecí napětí činí 1,8 V a jedná se o 6. generaci ve 136pinovém FBGA. Zbytek atributů odpovídá GDDR4 pamětem, nejsou však v datasheetu prozatím zaneseny.

Každopádně grafické karty čeká tento rok přechod na GDDR4, což sebou přinese další razantní nárůst výkonu. Samsung má 3,2GHz vzorky, Hynix plánuje na léto hned 3,6GHz. Když si trochu zaspekulujeme, můžeme očekávat do konce roku minimálně testovací vzorky, které překročí hranici 4 000 MHz.