Loni v dubnu jsme vás informovali o tom, že japonská Toshiba a americký SanDisk spojily nad 19nm výrobou své síly. Jednou z prvních várek ovoce z této spolupráce jsou nejen nová SSD Toshiba ohlášená na srpen, ale také produkty SanDisku.

Firma ohlásila, že již spustila sériovou výrobu 19nm NAND flash čipů, což koresponduje s informacemi o Toshibě. SanDisk tyto čipy nasadí mimo jiné do nových iNAND Extreme řešení, kde nabídne kapacity od 16 po 128 GB a rychlosti až 100 MB/s sekvenčního čtení a až 45 MB/s sekvenčního zápisu. Vše v souladu s nejnovější specifikací e-MMC 4.5 a podobě čipů o velikosti pouzdra pouhých 16×12 mm. Nová generace oproti předchozí navíc zjevně dostala i svižnější řadič, neboť výkon v náhodném zápisu má být oproti ní dokonce dvojnásobný.

Úložiště typu iNAND Extreme budou použita jako součást referenčního návrhu platformy Tegra 3 pro tablety a jiná mobilní zařízení. SanDisk je bude dodávat pochopitelně svým velkým partnerům taková zařízení vyrábějícím, přičemž již tento měsíc jim začne rozesílat zkušební vzorky z počátečních výrobních sérií. Běžně dostupné pak budou v průběhu léta, takže v produktech řekněme na podzim, případně před Vánoci.