Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Už jen čekám na studii, která dokáže jak SSD znehodnocují data. U e-hraček nechci HDD a v PC nechci přerostlou flešku dokud půjde koupit HDD bez hélia a předehřevu. Jako externí úložiště dnes vítězí HDD úplně jasně.
Nevim zda teda ta 3D vyroba flash pameti se dela v ramci procesu, protoze slepit jen cipy s vetsimi bunkami zrovna neprinese usporu (plati se cena za wafer, ktery ted bude mit nizsi kapacitu). Je 48 layer jen evoluci soucasnych procesu, kde je treba 8 thinned dies nad sebou, nebo je to zcela jina technologie??
Tak si odpovim sam, 3D V-NAND je jeden fyzicky cip. Nejde rozebrat na jednotlive layers... pocitam ze ted se budou predhanet vyrobci kdo uvede 64, 96, 128 layers drive :) az nekdo ukaze cip ktery ma tvar kostky... memory cube, hah!
U "memory cube" by bylo nutne resit chlazeni vnitrnich vrstev. Nerikam ze takova technologie neexistuje, jen je potreba s touto komplikaci pocitat.
Může mě někdo odpovědět kolik nm je jedna vrstva z těch 48? Právě mě zajímá dokdy se to dá vrstvit, protože se dnes klade důraz na kompatibilitu třeba v noteboocích, tabletech atd. to určitě není neomezené.
Tak podle mikroskopu Gen1 (128 Gbit / 24 layers) to vychazi na 85nm layer, zatimco u Samsung 850 Pro s Gen2 (86 Gbit / 32 layers) pak na 62.5nm. Dalsi dokumenty o vyrobnim procesu zminuji vystupek o vysce 45um x sirce 15 um, ktera se musi vytvorit na kazde vrstve - takze se to stavi jako mrakodrap - patro po patru.
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.