Již dříve jsme to v souvislosti se srovnáním prvních SSD postavených na 15nm TLC NAND flash Toshiba-SanDisk se samotnou Toshibou prezentovanými údaji o životnosti QLC 3D NAND flash s konzervativnější výrobou prezentovali: je lepší vyrábět 3D vrstvené čipy s většími tranzistory a více NAND flash die, než se hnát za co nejmenšími tranzistory. Samsung to pochopil dávno a mnoho z nás již má doma něco, co nese jeho 3D V-NAND čipy, SanDisk a Toshiba dělají velký přerod nyní.

Továrna v Jokkaiči aktuálně vyrábí klasickou technologií, tedy čipy nesoucí jedinou NAND flash vrstvu. Nově je továrna z významné části přestavována na 3D výrobu, tedy vrstvené čipy. Tisková zpráva to neupřesňuje více, než že je významní část 3D výrobní kapacity převáděna na 3D, každopádně prvních 3D NAND flash čipů od dua SanDisk-Toshiba bychom se měli dočkat v prvním čtvrtletí roku 2016. Jestli už půjde o QLC, případně o jaké nanometry, to se teprve dozvíme (doufejme).

Obě firmy se dohodly, že každá z nich si samostatně určí, kdy pro sebe konverzi na 3D čipy provede. V případě SanDisku se tak pochopitelně už děje s vědomím dohodnutého odkupu firmou Western Digital v hodnotě 19 miliard dolarů.