Nemá smyslu příliš dlouho polemizovat nad tím, jak jsou NAND flash čipy žádané stále více a více a jak je také větší hlad po větších kapacitách v jednom pouzdře. SK Hynix už také vrství, podobně jako třeba Samsung a Toshiba. Letos se dostane na 72 vrstev v jednom pouzdře, což v reálu bude znamenat čip o kapacitě 512Gbitů, tedy 64 GB.

Navazuje tak na vlastní výrobu, kdy v roce 2015 uvedl na trh první sériově vyráběné NAND flash čipy s 36 vrstvami. Tehdy šlo o 128Gbitovou 3D MLC NAND flash paměť, interně označovanou jako „3D-V2“. Čip cílil na vyjímatelná úložiště a o rok později následovala evoluce v podobě 48vrstvého čipu („3D-V3“). Ten se používal už v paměťových kartách, USB flashkách, embedded segmentu i v SSD světě. S třetí generací SK Hynix cílil na výrobu 256Gbit (32GB) TLC čipů, s nimiž konstruoval až 4096Gbit kapacity.

Letos tedy přijde další upgrade. 72vrstvý 3D TLC NAND flash čip („3D-V4“) najdeme všude možně, nejprve též v 256Gbitové variantě, 512Gbitová přijde na trh později. Plány aktuálně předpokládají, že verze s poloviční kapacitou přijde již ve druhém čtvrtletí tohoto roku, 512Gbitová pak ve čtvrtletí posledním. Díky použití 13,5MB velikosti bloků pak mají být čipy rychlejší.

SK Hynix již nabízí až 8192Gbit (1TB kapacity ve svém katalogu), což znamená i schopnost nabídnout výhledově (no ... zhruba za rok) 2TB M.2 single-side SSD. Lze také předpokládat, že díky této generaci NAND flash čipů začnou z trhu mizet SSD s kapacitami 120/128 GB (o kapacitách nižších ani nemluvě).