Společnost Synopsys připravila tzv. DesignWare High Bandwidth Memory 2 (HBM2) IP, tedy řešení pro implementaci podpory HBM standardu do reálného produktu. V souvislosti s tím vyzdvihuje o řád vyšší energetickou efektivitu svého HBM rozhraní oproti DDR4, nízké latence a řadu dalších aspektů. Tisková zpráva se zkrátka snaží dát najevo, že společnost nabízí kompletní hotové řešení, které může poskytnou kterémukoli výrobci, jenž projeví zájem.

Pro nás je ale zajímavý poslední odstavec textu, který uvádí (v překladu) následující: 

7nm výrobní proces nabídne TSMC, GlobalFoundries i Samsung. Předpokládá se, že TSMC a GlobalFoundries budou mít náskok, protože jejich imerzní procesy nevyžadují tak časově a finančně náročnou přípravu jako EUV proces Samsungu, ale jak velký tento náskok bude, není příliš jasné (dalo se předpokládat, že několik kvartálů, ale vše nasvědčuje tomu, že se to Samsung snaží zkrátit). EUV proces Samsungu si v případě úspěchu licencuje GlobalFoundries, která jím doplní svůj imerzní proces.

Podstatné pro nás je, že rizikovou 7nm výrobu rozjedou všichni výrobci v roce 2018, takže lze očekávat, že pro velké čipy bude dostupná a rentabilní v průběhu roku 2019. Jenže na rok 2019 už byly avizované paměti HBM3. Přestože by se mohlo zdát, že by mělo smysl spojit 7nm proces s HBM3 pamětmi, vidí Synopsys situaci jinak a již nyní považuje poptávku po kombinaci 7nm procesu a HBM2 jako jistou věc.

Znamená to, že považuje za jisté, že 7nm GPU (či další čipy, k nimž lze HBM připojit) budou vyráběna výrazně dříve než budou k dispozici HBM3. Buďto to vypadá na hladký nástup 7nm výroby, nebo zdržení třetí generace HBM.