Kromě spolupráce s NECem na MRAM (a dalších věcech) si japonská Toshiba samozřejmě vyvíjí i další paměťové technologie na „svém vlastním písečku“. Ve stejné době jako MRAM nyní oznamuje i dokončení nových rychlých pamětí typu Ferroelectric RAM (FeRAM), které současně díky vysoké hustotě dosahují velikosti až 64 Mbit. Přitom si zachovávají vysokou rychlost čtení i zápisu 200 MB/s, stejnou jako právě zmiňované MRAM vyvinuté ve spolupráci s firmou NEC. Dle Toshiby jsou tak nejrychlejšími na světě ve své kategorii.

O výrobu se taktéž stará 130nm CMOS technologie, založena je pak na firemní architektuře chainFeRAM, která značně redukuje potřebnou velikost paměťových buněk. Implementován je i optimalizovaný design, snižující šum v obvodu a ECC (Error Correction Code). Aby ECC při zápisu nezdržovalo, je implementován blíže nespecifikovaný paralelní „pseudo-zapisovací“ proces, který snižuje zdržení v důsledku ECC na polovinu. Napájecí napětí je 2,5 nebo 3,3 V. Dodejme, že FeRAM v sobě kombinují vlastnosti DRAM/SRAM a flash pamětí a jsou schopny uchovat data i po odpojení napájení. Mobilní nasazení této technologie je tak nasnadě.