"(energetické ztráty) přibližně tisíckrát menší. Tam kde typické MCU čipy vyžadují stand-by proud výrazně přes 1 µA, vystačí si řešení od Toshiby s pouze 27 fA ... tedy místo řádu 10e-6 jsme v řádu 10e-15."
Týbrďo. Posun o 9 řádů je "tisíckrát". Něco se nám ztratilo v překladu. Za prvé srovnáváte jabka s hruškama. Typický MCU čip ať si vyžaduje co chce, ale se samotnou pamětí ho srovnávat nemá smysl. A za druhé 27 fA je na bit, ne na čip.
+1
+5
-1
Je komentář přínosný?
"(energetické ztráty)
PV https://diit.cz/profil/pv
15. 2. 2014 - 09:42https://diit.cz/clanek/toshiba-vyvinula-extremely-low-leakage-sram/diskuse"(energetické ztráty) přibližně tisíckrát menší. Tam kde typické MCU čipy vyžadují stand-by proud výrazně přes 1 µA, vystačí si řešení od Toshiby s pouze 27 fA ... tedy místo řádu 10e-6 jsme v řádu 10e-15."
Týbrďo. Posun o 9 řádů je "tisíckrát". Něco se nám ztratilo v překladu. Za prvé srovnáváte jabka s hruškama. Typický MCU čip ať si vyžaduje co chce, ale se samotnou pamětí ho srovnávat nemá smysl. A za druhé 27 fA je na bit, ne na čip.https://diit.cz/clanek/toshiba-vyvinula-extremely-low-leakage-sram/diskuse#comment-688212
+
Při 27 fA na bit a 100 kB, tedy 800 000 bitů to máme 21,6 nanoampérů. Nevím, jestli je to tisícinásobný zlepšení, protože i starý low power SRAMky žerou pod mikroampér.
+1
-1
-1
Je komentář přínosný?
Při 27 fA na bit a 100 kB,
Jan https://diit.cz/profil/jnd
16. 2. 2014 - 14:28https://diit.cz/clanek/toshiba-vyvinula-extremely-low-leakage-sram/diskusePři 27 fA na bit a 100 kB, tedy 800 000 bitů to máme 21,6 nanoampérů. Nevím, jestli je to tisícinásobný zlepšení, protože i starý low power SRAMky žerou pod mikroampér.https://diit.cz/clanek/toshiba-vyvinula-extremely-low-leakage-sram/diskuse#comment-688371
+
O tisícině se píše v odkazovaném zdroji. Jistě si to přifoukli výběrem vhodně nevhodného příkladu, ale ne tolik mimózně jako pan Ježek :-)
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
O tisícině se píše v
PV https://diit.cz/profil/pv
16. 2. 2014 - 18:58https://diit.cz/clanek/toshiba-vyvinula-extremely-low-leakage-sram/diskuseO tisícině se píše v odkazovaném zdroji. Jistě si to přifoukli výběrem vhodně nevhodného příkladu, ale ne tolik mimózně jako pan Ježek :-)https://diit.cz/clanek/toshiba-vyvinula-extremely-low-leakage-sram/diskuse#comment-688401
+
"(energetické ztráty) přibližně tisíckrát menší. Tam kde typické MCU čipy vyžadují stand-by proud výrazně přes 1 µA, vystačí si řešení od Toshiby s pouze 27 fA ... tedy místo řádu 10e-6 jsme v řádu 10e-15."
Týbrďo. Posun o 9 řádů je "tisíckrát". Něco se nám ztratilo v překladu. Za prvé srovnáváte jabka s hruškama. Typický MCU čip ať si vyžaduje co chce, ale se samotnou pamětí ho srovnávat nemá smysl. A za druhé 27 fA je na bit, ne na čip.
Při 27 fA na bit a 100 kB, tedy 800 000 bitů to máme 21,6 nanoampérů. Nevím, jestli je to tisícinásobný zlepšení, protože i starý low power SRAMky žerou pod mikroampér.
O tisícině se píše v odkazovaném zdroji. Jistě si to přifoukli výběrem vhodně nevhodného příkladu, ale ne tolik mimózně jako pan Ježek :-)
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.