Výrobce představil toto řešení na IEEE International Solid-State Circuits Conference 2014 v San Franciscu. Výhodou nového 65nm čipu je fakt, že oproti konvenčním SRAM čipů má leakage rate (energetické ztráty) přibližně tisíckrát menší. Tam kde typické MCU čipy vyžadují stand-by proud výrazně přes 1 µA, vystačí si řešení od Toshiby s pouze 27 fA (femto-amper: sekvence je mili → mikro → nano → piko → femto → atto), tedy místo řádu 10e^-6 jsme v řádu 10e^-15.

Asi netřeba zdůrazňovat, proč jsou tak důležité SRAM čipy a proč je navíc tak důležité, aby jejich udržovací proud byl co nejmenší. SRAM, do které se ve stand-by překlopí obsah jinak energeticky mnoho-řádově náročnější RAM, slouží po rychlou obnovu při probuzení kdy se systém vrátí do svého předchozího stavu prakticky okamžitě. Jenže jelikož SRAM není flash, je potřeba ji stále „krmit“ energií, která v ní udrží uložený stav. A čím menší jsou průběžné samovolné ztráty (leakage rate), tím méně energie se spotřebovává na udržování, resp. u mobilních zařízení prodlužuje výdrž ve stand-by. Technologicky jiná řešení jako FRAM jsou (zatím) příliš pomalá a baští více energie při činnosti.

Nový eXtremely Low Leakage SRAM (XLL SRAM) čip od Toshiby je vyráběn ve firemní továrně na 65nm procesu. Garantuje uchování dat po dobu 10 let s jedinou baterií a jeho kapacita je kolem 100 kB. Při výrobě je využíván typ tranzistoru se silnou vrstvou oxidu na řídící elektrodě (gate), krátkou délkou kanálu a optimalizovaným difúzním profilem source/drain elektrod. Využity jsou i další techniky vyvinuté Toshibou, dále zlepšující charakteristiky. Tento typ tranzistorů je co do zabrané plochy větší než běžný, nicméně Toshibě se daří postupně zmenšovat jeho velikost. Přístupová doba čipu je 7 ns.

Toshiba nasadí tuto SRAM v produktech uváděných na trh v letošním roce. Využívat ji budou i další výrobci mnoha zařízení poháněných bateriemi.