V duchu zvyšování výkonu čipů a snižování jejich spotřeby představily včera společnosti AMD a IBM na IEDM (International Electron Devices Meeting) ve Washingtonu výsledky společné práce v oblasti vývoje 65nm výrobního procesu. Firmy oznámily, že společně vyvinuly materiál, který kombinuje e-SiGe (embedded Silicon Germanium) s DSL (Dual Stress Liner), což je dohromady jen lehce vylepšená stávající technologie, kdy se SSDOI (Strained Silicon Directly On Insulator) již v některých procesorech AMD používá. Nyní je vše ještě podpořeno SMT (Stress Memorization Technology) a toto vylepšení je již schopné bez problémů akceptovat nový 65nm výrobní proces, při kterém jsou tranzistory a obvody samozřejmě menší než při stávajícím 90nm procesu. Navíc je škálovatelný i pro použití na budoucí 45nm proces. Stručně a zjednodušeně můžeme označit takovýto materiál za třetí generaci napnutého křemíku.

AMD má tedy k 65nm výrobnímu procesu cestičku vyšlapanou. Připomeňme však, že Intel je se 65nm výrobou už dál a ještě letos chce uvést první takto vyráběný procesor, Pentium XE 955. Uvidíme časem, čí výroba 65nm technologií bude lepší.