Kolega je spíš smutnej jak to u těchto čudlů dopadlo, když se tomu věnovalo tolik času i prostředků v řádu miliard $. Zvlášť když to vzdali metr před cílem...
Mi jsme jim dodali pár mašin do laboratoře a dvě velké vhodné na masovou produkci, schopné zpracovat 36 panelů v různé fázi procesu najednou.
Poslední se kterou jsem přišel do styku jen měla výrazně zredukovat zabranou podlahovou plochu a rapidně snížit cenu. Těch se mělo dodat asi 200 ale jak to dopadlo netuším, protože to už měli pod palcem soudruzi z USA a Indie...
Naštěstí to neskončilo v kopru úplně a mimo Intel pokračují další firmy v původní myšlence, která přišla z Fraunhofer institutu.
Má to být levná náhrada pasivního křemíkového interposeru, s trochu horší hustotou propojů. Ale rozhodně blíž křemíku, než běžně používaným substrátům. Pro 1024b sběrnici Samsung udává asi 17Gbps/pin takže skoro dvojnásobek toho co zvládají dnešní HBM paměti. Proti organice je pak lepší i rovinnost a tepelná stabilita, takže by měla být vyšší odolnost proti poškození propojů mezi substrátem a čipletem kvůli dilataci při hodně vysokých teplotách.
Křemíkový interposer tak má dnes hlavní výhodu v tom, že může být i aktivní a obsahovat různá kripl jádra, L4 cache... Možná to je důsledek toho, proč tuto technologii Intel upozadil, když chce jít spíše cestou aktivního interposeru.