Flash tu, flash tam, všude kam se podívám, jedna velká firma za druhou oznamuje rozšiřování výrobních kapacit. Společnosti SanDisk a Toshiba podepsaly dohodu o joint-venture ve Fab 5 v japonské Yokkaichi, už na jaře příštího roku tam začnou vyrábět především na 20nm technologii 300mm křemíkové desky s NAND flash pamětmi. Z jejich dlouholeté spolupráce už vzešlo osm generací MLC NAND flash.

Další dvojicí, která nechá kvůli flash pamětem zakousnout bagry do země, bude Intel a Micron, má se tak stát v Singapuru ještě do konce roku. Dojde tak na realizaci fabriky plánované původně na konec roku 2008, kterou ale zastavila finanční krize. NAND flash paměti na 300mm křemíkových deskách by tam mohli začít vyrábět už v příštím roce, i tam by měla být nasazena 20nm výrobní technologie.

Zapomenout nemůžeme ani na firmu Samsung, v Hwaseongu v Jižní Koreji hodlá rozjet novou Line-16 na DRAM, NAND flash a nové generace pamětí, výroba by se tam měla začít rovněž v roce 2011.

My jsme moc zvědaví, kolik bitů do jedné buňky se výrobcům v nadcházející době ještě podaří vecpat, zatím jsme na třech. Nad celým průmyslem NAND flash pak visí meč v podobě „trvanlivosti“ těchto výrobků. Pokud nezačnou SSD odcházet ještě v záruční době, která je hodně často tři roky, bude vše asi bez problémů, co když ale začnou umírat rychleji? Se stále se zvyšujícím počtem bitů v buňce se navíc životnost ještě snižuje. Budou uživatelé NAND flash věřit? Nebo jsou na nás připraveny už nové typy pamětí?