ja by som tych 20V tipol na pouzitie nejakej nabojovej pumpy (integrovanej v radici) ktore "vyrobi" z tych 5V (napr. z USB)

pár kondenzátorama jde udělat napěťovej násobič (kterej samozřejmě bude mít o to menší výstupní proud).
Jinak jsem zvědavej, kam se ty technologie dostanou a kdo bude vítězit :)

je otazkou zda to psali vedatori nebo marketingove oddeleni. Tyhle zvasty obvlykle pise marketingovy kravatak ktery se vedatoru v souvislosti s tim zepta akorat tak na to jak se jim zamlouva letni pocasi. Takze ja bych tomu velkou vahu nedaval ... pokud jsou akcie te firmy obchodovatelne na burze mate rovnou odpoved na to o co jim slo. Jen o zvyseni hodnoty akcii, cas od casu firma musi vydat takovouto nejakou slibnou zpravou ackoliv na tom nakonec neni nic moc pravdy. Jak bylo receno v clanku, kdyby to byla pravda pracovali by na tom i jine firmy a nektere uz by davno ohlasovali prvni predvadeci prototypy alespon.

Tych 20V je mazacie napatie potrebne na "reset" pamatovej bunky, alebo celeho pamatoveho pola, riadku alebo cipu. Obvykle sa jedna o "horuce" tunelovanie elektronov sem ci tam. Tento tunelovaci efekt je v pohode ale ten isolacny material tym dost trpi a raz musi dojst k prierazu.

Pri rovnakej alebo aj mensej vrstve oxidu bude 6V milionykrat mensi "stress", namahanie, zivostnost oxidovych vrstiev s pomerovym napatim sa meni niekde s 10. az 20. mocninou. (o 7% vyssie napatie, 2x nizsia zivostnost).

Keby ste robili s flash pamatami hned by ste vedeli na co tych 20V referuje :D (a ano, pouzivaju sa kondenzatorove spinane nabojove pumpy, komparator a referencia, hoci niekedy sa na tu referenciu vyrobca vybodne)

jj 20V se dosahuje pomoci nabojove pumpy (charge pump)

http://en.wikipedia.org/wiki/Charge_pump

Vzhledem k tomu, ze prave kvuli ziskani vyssiho napeti na mazani bunky se musi cekat (v mikrokontrolerech s flash pameti je to primo v navodu na zapis do pameti ze se nastavi flag kterej pripravi vysoky napeti a pak se pocka par cyklu nez se nabije), da se predpokladat ze by to mohlo mit docela dobrou rychlost zapisu oproti flash (teda pokud ta vlastni technologie nema moc pomalej zapis)

mirosvk: to by odpovídalo tomu rozdílu čtení/zápis, bo nábojová pumpa je relativně měký zdroj...

No, ja bych tech 6V povazoval za vyslovene smulu, neb stejne bude potreba nabojova pumpa, sice bude nabijeni mnohem rychlejsi, ale i tak je to obvod navic, tedy naklady navic.

U SSD to nevadi, ty neni problem napajet 12V vetvi, ale u USB zarizeni by se vice hodilo 5V a prime napajeni.

Mio: nabojova pumpa a smola? Z hladiska hackovania pamati ano, ale z hladiska komplexnosti nie. Myslim ze tych 20 tranzistorov navyse tie miliony ostatnych tranzistorov nejako vyrazne nepredrazi. To co je tu prevratne je ze sa nejedna o pamatovej bunke s plavajucim hradlom ako doteraz. Vsetko je je na obrazku by malo byt cele. Obycajny FET tranzistor. Ziadne pamatove struktury! Obycajny FET tranzistor s hradlom , materialom prechodu a izolantom hradla schopny nechat tranzistor otvoreny aj po odstraneni napatia z hradla.

O zmenseni poctu vyrobnych operacii ani nehovorim...

Pre tych co este nevedia ake napatie je na USB, tak je niekde medzi 4-5V, malokedy dostanete tvrdych 5V, idete cez polovodicovu poistku. Ale urcite to mate v USB specifikacii...

Nevím jak vám, ale mě se zdá že fet vydrží dnešní mládeži čím dál míň. A hlavně toho berou čím dál víc....