Zatímco u Intelu byl 22nm proces prvním s 3D tranzistory, v případě GlobalFoundries je 22nm FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator) proces stále s planárními tranzistory. Jestli to mění 12nm FD-SOI technologie, kterou firma ve variantě 12FDX připravuje, není jasné, tisková zpráva o neplanárních / 3D tranzistorech explicitně nehovoří.

Stávající proces 22FDX je dle firmy vhodný pro čipy typu těch, které kombinují logiku s rádiovými frekvencemi, analogovými prvky, pamětí atd. Tam se FinFET úplně nehodí, takže i nadále mají procesy SOI typu smysl. 12FDX má dle firmy nabídnout podobný výkon tranzistorů jako 10nm FinFET proces a současně lepší charakteristiky spotřeby a nižší výrobní náklady než 16nm FinFET (což je, ehm, výrobní proces konkurenční TSMC). Jakožto „full-node shrink“ dosavadního procesu nabídne 12FDX o 15 % vyšší výkon než stávající FinFET technologie a současně až o 50 % nižší spotřebu. Přeberte si to jak chcete.

Výrobu 12nm FD-SOI procesem rozeběhne GlobalFoundries v továrně Fab1 v německých Drážďanech a očekává, že tape-outy produktů by mohly přijít někdy v první polovině roku 2019. Za domácí úkol můžeme spekulovat o tom, jak moc k tomuto pokroku přispěla koupě části IBM.