Společnosti Intel a QinetiQ oznámily vývoj nového rychlého a energeticky velmi nenáročného prototypu tranzistoru, který by mohl být základem pro budoucí procesory a další elektroniku, a to od druhé poloviny příštího desetiletí. Tak začíná tisková zpráva, kterou ve středu vystavila firma Intel. Říkáte si, to tu už jednou bylo. Ano, psali jsme o tom v únoru. Avšak takový tranzistor, jaký na základě InSb (indium antimonid) vyvinuly, tu prý ještě nebyl. Tehdy tvrdily cosi o desetkrát menší spotřebě, nebo třikrát vyšším výkonu. Nyní své tvrzení musely poupravit. Nový prototyp tranzistoru je sice zhruba desetkrát méně hladový, ale zároveň o 50 % výkonnější než předchozí. Tímto dle svého vyjádření protahuje Intel platnost tzv. „Moorova zákona“ do roku 2015.

Nové tranzistory, které nyní obě firmy předvedly, mají velikost „gate“ 85 nm, což je o polovinu menší než u dosavadních tranzistorů na bázi InSb. Pro vaši představu je vpravo obrázek tranzistoru vyráběného 65nm technologií z křemíku (nějaké takové by měl mít ještě letos procesor Presler alias Pentium Extreme Edition 955), který má „gate“ velkou jen 30 nm.