Přesně i když ne teoreticky, ale PRAKTICKY.
Fyzika je neúprosná a nelze jí ošálit PR žvástal ani přáním či hlasováním.
Počet přepisů Flash buňky je dán životností izolační vrstvy G MOSFET tranzistoru ,který uchovává náboj (informaci) tato izolační vrstva je při každém zápisku namáhána relativně vysokým napětím a degraduje. Přičemž je to s ní jako se špaqátem, čím tenčí tím méně toho vydrží. Pokud buňka na 130nm vydrží 10000 přepisů, tak na 45nm již jen 3000 přepisů na 25nm řekněme 1500 přepisů na 20nm 1000 přepisů na 14nm to jsou již jen stovky. Zde bych izolační vrstvu přirovnal k tenké membráně (folii) čím tenčí tím pravděpodobněji někde praskne a tím menší podnět k prasknutí stačí. Je to poměrně komplikované a tak si dovolím jisté zjednodušení. Velikost atomu křemíku, pro jednoduchost použijme van der Waalsův poloměr, je 210pm při 20nm litografii je tedy velikost "čáry" jen cca 90atomů křemíku. Pohybujeme se na úrovni jednotlivých atomů a relativistických sil zde již hraje roli "samovolný" přesněji tepleny pohyb atomu, kdy atom není nehybná materie, ale spíše plynná bublina, která se chvěje v prázdnu a čím větší teplo tím pravděpodobněji někam popoletí. Tim se dostáváme k životnosti dat v závislosti na teplotě, pokud je u 25nm při absolutní 0 životnost dat teoreticky nekonečná , při pokojové teplotě teoreticky desítky let tak při +125C to již jsou jednotky dní (2-3) a při 140C jednotky hodin u 20nm to bude méně.
"Náhodné" vlivy, vesmírem nelétají jen komety nestálých drah , ale především částice kosmického záření pokud se taková částice trefí do naší izolované G tak v okamžiku průletu izolační vrstvou G tuto ionizuje a ionizačním kanálem pak může utéct náboj z G. Vlastně jde o takový blesk v atomovém světě. Mimochodem i v našem světě je dráha některých blesků dána ionizací atmosféry po průletu kosmického zářeni. V každém případě, čím slabší izolační vrstva tím menší energii musí částice mít a zároveň čím nižší energie tím je takových částic více. No a zároveň platí čím hustěji a ve více vrstvách v IC ty G jsou tím je větší pravděpodobnost zásahu cíle, pokud střílíte bez míření tak se spíše trefíte do hejna hus než do jedné osamocené.

Memristor přesněji ReRAM paměti zničí dvě odvětví průmyslu výrobu DDRAM pamětí a výrobu Flash pamětí čili všichni velcí hráči v tomto oboru bádají, sbírají patenty, ale zároveň nijak zvlášť netlačí na pilu, když dokážete lidem vnutit SSD s teoretickou životností 2-měsíce zapisování proč investovat a riskovat miliardy do výzkumu s nejistým výsledkem. Proto výzkum jede spíše na univerzitách s vazbami na HP, Hinix a další, aktuálně je přesně definováno teoretické chování součástky a lze vyrobit funkční memristor "studijní" velikosti. Pokud bych měl použít analogii z tranzistorového světa, jsme v roce 1947 kdy byl vyroben první tranzistor, jak dlouho to bude trvat k první miliardě tranzistorů na ploše 1" je otázkou .

To ano, spare priestor pri 19-20nm bude bud vecsi alebo bude kratsia zivotnost.
Problem je aj ten, ze pri cim mensom vyrobnom procese je vyskyt chyby/ zlyhania bunky pravdepdobnejsi(dobre to popisal kkkk) a to len spare priestor nevyriesi. Tam musi nasupit radic a ECC,ktore bude musiet byt masivnejsie(radic bude viacej zamestany opravou chyb a celkovo manazmentom kvality/zivotnosti).

Vysledok - narastu latencie, zvysi sa pravdepodobnost nahodneho zlyhania/chyby, rychlosti citania/zapisu neporastu ako doteraz, znizi sa zivotnost a skrati sa data retention.

Vyhoda bude v nizsej cene a vecsich kapacitach. To rozhoduje u beznych uzivatelov.

Memristory? Tie tak skoro nepridu, tie su ste len v laboratoriach a boria sa este len zakladnymi vecami. Tiez sa musia vyriest problemy so znizujucim sa vyrobnym procesom a vhodnymi materialmi.

Presneji na zadne SSD neni zaruka 2-3 roky ;-))
ale ony 2-3 roky a je zkracena pocty prepisu , ktere si uklada, samozrejme ten chip lze znicit ;-))