Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Když je intel tak napřed, proč jejich procesory topí víc než amd ?
re: Já
Neplet si kvalitu vyrobnej technologie s kvalitou navrhu procesora, ked je navrh nevydareny(NetBurst), mozes ho vyrabat ako chces.
stejne je to docela maras, jak to zmensujou. krok od 130nm k 110ti byl cca o 10% a ted je to o cca 20%. jen tak dal a at uz to ma amd, ati a nvidia.... a samozrejme nejen oni
No mám pocit, že kdyby nebylo Intelu tak AMD nic nenutí intenzivně vývíjet a máme tu několik let stejné procesory...
hyk : A kdyby tu nebylo AMD , tak by byla cena za Intel procesory několik let predrazena a o 64-bitovych procesorech bychom si mohli leda tak snit dalsich 10 let.
Á zase samé moudra.
AXA: lepe bych to nenapsal ani ja. Je ta 45nm ještě dělaná fotocestou nebo už používaji iontovou implantaci?
hyk: Gratuluju ti k pochopení fungování monopolu. Mnoho lidí to dodnes nepochopilo.
...je to 4. harmonicka eximerovyho laseru, takze dalsi na 5. harmonicky by to mel byt 35nm proces. Technogii presne neznam, ale svetlo se na techto vnlnovych delkach uz pekne ohyba, takze je mozne ze se pouziva nejake iontove "delo"
prero su tie wafery okruhle? a nie štvorcove
takto im z toho ostava veľa odpadu
yart: protoze se wafery vyrabeji (přesněji řežou) s dlouhých válců které se odlévají (nevim jak to jinak popsat)
yaqt: Desky se řežou z krystalů Si, které jsou z principu výroby kruhové. Si krystaly se táhnou za soustavného otáčení z roztaveného křemíku metodou prof. Czochralského (publikováno r. 1916 (!) pro kovy). (http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_6/illustr/i6_1_1.html)
Odpad z kruhové desky z titulu čtvercových čipů zase tak velký není. Čipy jsou daleko menší než Si desky, které jsou čipy "vyčtverečkovány".
kert: Fotocesta = fotolitografie, tedy metoda vytváření detailů na čipu, je stále (téměř výhradně) optická. Iontová implantace je způsob zanášení dopantů do Si, tj. nastřelování iontů (B,P,As,Sb...) urychlených v elektrickém poli pod povrch Si. Používá se již několik desetiletí.
yaqt: kdyby nebyly kulate, tak by dochazelo pri vyrobe k obrovskym deformacim.
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.