Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Boze chran kupit CPU z okraja takejto dosky. Taktovaci potencial bude asi 0,0nic.
Se ještě docela divím, že výrobci procesorů nežalují zákazníky za to, že přetaktovávají nižší modely procesorů :) Přijde mi to podobné jako dělat z WinXP Home změnou dvou údajů v jednom souboru dražší WinXP Pro (i když jsem taky neviděl případ, že by za to někoho MS žaloval, ale z hlediska EULA bude taková úprava nejspíše nelegální ;-).
Nejsem příznivcem přetaktovávání. A to i přes skutečnost, že jsem si pořídil AMD procesor v Black Edition, která jej snadno umožňuje. Prostě jsem za stejnou cenu volil řešení bez chladiče, protože jsem na procesor stejně napasoval jiný (motýla od ZeroThermu, ten procák to uchladí prakticky pasivně).
Když si koupíš 1.8 GHz C2D a ono bez zvýšení napětí jede na 3.0, to je potom těžké nebýt příznivcem přetaktování :)
Hih uz to vidim pred sebou jak nejaka pologramotna operatorka bude manipulovat s kotoucem polovodicu o prumeru pul metru tak aniz by ho nejak nepozorovatelne nenalomila :-)
v2: Operatorky, operatori ani operatorcata se k waferum vubec nedostanou, veskera manipulace je strojova/robotizovana. To ze to vidis v propagacnich materialech je PR blbina.
>> Damel:
Ale dovedeš si představit tu snobárnu, mít z takovýchdle waferů (už po procesu litografe) vykachlíkovanej hajzl? :)))
WIFT: A mas na mysli "surove" kulate wafery, nebo jiz orezane na ctverce? Dlazdice cca 32x32cm hmmmmmm :)
okraj dosky nehra rolu... v sucinnosti je milion veci. Plazmove leptanie, lestenie, planarizacia... kupodivu 90nm CELL/BE aml najrychlejsie tranzistory na okrajovych segmentoch kremikovej dosky, ale zaroven na podobnych castiach bola najvyssia kapacitna zataz liniek... jeden si nevyberie :).
Inak by ma zaujimalo kolko bude taka 32nm - 450mm fabrika stat. 15-25 miliard dolarov za kus?
Viete si niekto vobec predstavit sosovky na ostit 450mm platkov?
20-centimetrove? 30-centimetrove?
>> Damel:
Kulaté by vypadaly autentičtěji, s ořezanými by se zase lépe dělalo, ještě nejsem rozhodnut ;)
jojo2 >> ale najvyssia cistota kremiky je v strede, to je dane fyzikalne.
Pozrite sa na EHW.cz na posledny screen. Nadhera. Do toho kvapla si rovno vyfrezovat WC nadrzku.
http://www.extrahardware.cz/velky-pokrok-450mm-wafery
2 doubt: Já mám doma C2D 1,86GHz, zkoušel jsem to přetaktovat, na 3,0GHz to jelo s původních chladičem naprosto v klidu, teď to jede na 1,2 GHz, snížené napětí, grafika na nejmenších možných frekvencích. Na hry není čas, telku, filmy, hudbu, internet to zvládá naprosto v klidu. Až bude čas na Oblivion, tak to zase dám do původního stavu, ale za poslední 4 měsíce jsem výkon nepotřeoval ani jednou.
NOX: to mi musis fyzikalne vysvetlit preco je na SOI cistota naparenej vrstvy kremiku najvyssia v strede a preco by to malo mat vyssi vplyv ako ine veci (dopovanie, velkost medenych vodicov a velkost a presnot wolframovych stuplov)... Nejako si to neviem vysvetlit kedze plyn pri nanasani epitaxnej vrstvy kremiku ide sprava dolava...
Naozaj si si isty ze nie je dolezitejsia GEOMERIA a odchylky rozmerov nez cistota kremiku ktory ajtak v P-FETe bude dopovany na 20% Germania?
jojo2 >> mam to od ucitelky mat. Myslim, ze nejde ani tak o SOI ale o samotnu cistotu Si pri vytacani ignotu. Ten sa sice vytaca z velmi cisteho kremika, ale ak sa tam nachadza nejaka cudzia molekula/atom, pri vytacani je vytlacena k okraju.
Takisto atomova mriezka ma v strede najvyssiu homogenitu. Do ostatnych procesov nevidim - predpokladam, ze je vysoka opakovatelnost vysledkov v ramci celeho wafferu.
Mozna mel na mysli dislokace, jejichz cetnost je pochopitelne smerem k okraji pravdepodobnejsi. Podrobneji zde:
http://silicon.euweb.cz/LORENC_CZSi.pdf
pravdu mate, ale chcem ukazat na fakt ze SOI proces NIE JE zavisly od podkladoveho kremiku... pokojne tam moze byt aj zafirova doska tak ako kedysi. Vtip je v tom ze na kremikovu dosku spravite vrstvu oxidu kremiciteho - ako to je uz na vas, a na tu prave nanesiete urcitym procesom z plynnych surovin vrstvu kremiku na ktorej budete robit tranzistory. Takze samotny platok hra druhorade husle. Pri SOI procese, podotykam.
A ked sme u tej rovnomernosti mriezky, co myslite ze je "strained" a "stretched - silicon"? Prave to ze umyselne nanasame bud kremika na iny material alebo okolo kremiku nanesieme uny material ktory nam tu mriezku v niektorej osi bud stlaci alebo natiahne. Znova tu podkladovy platok nehra nijaku ulohu.
Dnesna SOI vyroba je daleko za tym co sa povazovalo za high-tech koncom 70. rokov! Akonahle je to SOI tak podkladovy naterial je suma-fuk, na niektorych snimkoch z elektronovych mikroskopov je dokonca vidiet velke necistoty alebo ine krystalicke utvary v podkladovej kremikovej doske - skratka ak tam nehra rolu, naco sa tym trapit ;-)
nejake info a zdroj:
http://www.research.ibm.com/journal/rd/504/berns7.gif
http://www.research.ibm.com/journal/rd/504/bernstein.pdf
even same-delay hardware can have different characteristics. For example, Figure 7 shows across-wafer variability in structures that are indicators of two different transistor attributes: 1) source?drain resistance and 2) gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance. Assuming similar channel lengths and thresholds, one can anticipate a chip coming from the center of the wafer, where indicators suggest favorable source/drain resistance but unfavorable overlap capacitance. This chip can exhibit the same nominal delay as another that is well removed from the center, even though it has very different component transistor parameters.
jojo2: V tom pripade mi povez, proc se delaji s tak drahymi kremikovymi wafery a nedelaji to treba na SECC plechu? :)(Steel-Electrogalvanized-Coldrolled-Coil)
Damel: Tepelna roztaznost. Poklad musi mit shodnou tepelnou roztaznost jako ten kremik co je na nem nafoukany, jinak se to roztrha.
Damel: "drahy" je relativny pojem. tych par tyzdnov co trva kym platnicka prejde vsetkymi vyrobnymi procesmi je to co nazyvame "drahy". Ale okrem tepelnej roztaznosti je to hotova technologia na spracovanie, rezanie, brusenie a lestenie danych platkov. Nemyslim ze na galvanizovanom plechu dosiahnes rovinatost v rade nanometrov. Ten kremik je dost lacna a dostupna vec stale... ak na jednom 20cm platku vyrobis 1200 ucelovych procesorov po 0.5-3 dolare za kus tak to stale obrovsky prevysuje cenu platku samotneho. v pripade PC procesorov ta cena za kus je este vyssia.
Damel>
Dovod je jasny
Zastúpenie prvkov v celom zemskom telese
prvok pomerné zastúpenie
Kyslík 46,6 %
Kremík 27,7 %
Hliník 8,1 %
Železo 5,0 %
http://sk.wikipedia.org/wiki/Stavba_Zeme
aj preto sa pouziva MOS FET
MOSFET (z angl. metal oxide semiconductor field-effect transistor) je druh tranzistoru riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou kovu je oddelené od polovodiča dielektrickou vrstvou oxidu daného polovodiča.
Podľa typu vodivosti hradla delíme MOSFET na PMOS a NMOS
Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v integrovaných obvodoch získame štruktúru CMOS, ktorá je základom takmer všetkých moderných digitálnych integrovaných obvodov.
http://sk.wikipedia.org/wiki/MOSFET
aj preto to zlozenie sa do roku 2000 pouzival na prepojnie tranzistorov hlnik (Aluminium) a az od vtedy med(anbgl Copper)
http://findarticles.com/p/articles/mi_pwwi/is_200006/ai_mark15010752
Lebo ti nehrozila, ze sa to vycerpa, Germanium ma podstatne lepsie vlastnosti ako kremik. Lenze kremika je na zemi dost, aj ked jeho problemom je, ze sa zalucuje s akymkolvek prvkom a na integrovany obvod resp. chipo v nom treba dnes cca. 17.8 kremik cize kremik s koncentraciou nula celych sestnast deviatok a za nimi osmicka..
Fotoba: Germanium ma priserne vlastnosti ako polovodic sam osebe... to by si mal vediet. Ma svoje vyhody ale jeho samotne zakladne parametre sa prudko menia s teplotou, na rozdiel od kremiku.
hkmaly: Ano vim, ze to je tepelna roztaznost, chtel jsem aby k tomu dospel jojo2, protoze nelze napsat: "podkladovy material je suma-fuk" :)
fotoba: :))) omlouvam se, ale argumentovat, ze se na vyrobu cipu pouziva kremik jen proto, ze v zemske kure je to druhy nejrozsirenejsi prvek je vskutku usmevne. BTW uvadene slozeni neni slozenim celeho zemskeho telesa, ale jen svrchni kury, chtelo by to tam ve slovenske wiki opravit ("Zastúpenie prvkov v celom zemskom telese" -> "Zastúpenie prvkov v zemske kore"). Slozeni celeho telesa je:
železo: 34,1%
kyslík: 28,2%
křemík: 17,2%
hořčík: 15,9%
nikl: 1,6%...
jojo> ta zmena vlastnosti s teplotou je aj pri kremiku a dost slusna...
aj o 10W na 20 Kelvinov
http://www.lostcircuits.com/cpu/amd_venice/6.shtml
fotoba, je mi jasne ake zmeny sa udeju pri celom procesore ktoreho zaklad je SOI kremik a dalej obsahuje vela fosforu, germania, boru, kobaltu, wolframu, medi a inych veci... rec ale bola o samotnom polovodici, o rychlosti difuzie, o teplote topenia, tvrdosti, a zmene intristickej vodivosti so zmenou teploty. Vidim ze si nemal tu cest s vykonovymi germaniovymi tranzistormi kde sa casto stavalo ze sa spotreba germaniaku pozahriati zvysila natolko ze nastala exponencialna tepelna spatna vazba - s rastucou teplotou sa tranzistor zacal viac zahrievat a akoncilo sa to len pri prieraze alebo pretaveni germania. Zakladna vodivost germania je skratka moc vysoka a moc tepelne zavisla, ale v podani SiGe tranzistorov alebo P-FETov a PNP a NPN tranzistorov v procesore ma aj germanium svoje miesto ako dopant, a to az do urovne 20% zliatiny s kremikom.
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.