V současnosti Intel pracuje na 10nm výrobě, kterou by z přípravné továrny rád přesunul do výrobní (Fab 28 v Izraeli) koncem letošního roku, kdy by zároveň měl mít přesné údaje o výtěžnosti a snad i první čipy z linek určených pro sériovou výrobu.

• Přípravy na 10 nm jdou skvěle, první čipy Intel ukáže snad ještě letos

10nm proces podle mnohých očekávání ale nebude ničím nezvyklý, půjde o standardní vývoj FinFET výroby s další porcí evolučních zlepšení. Následující generace procesů (7nm a dále) bude technologicky zajímavější už z toho důvodu, že podle slov Intelu nebude [jen?] o křemíku.

struktura planárních Quantum Well FET (experimentální, prezentace 2009)

V této souvislosti nebude od věci zmínit slova Davida Kantera, známého technologa-analytika, který situaci vidí trochu jinak, než jak je prezentováno většinou médií. Podle něj Intel zvolí technologii InGaAs Quantum Well FET, respektive vylepšenou InGaAs Quantum Well FinFET, kterou prezentoval už v roce 2011 a použije jí nejen pro 7nm, ale možná již pro 10nm proces (osobně mi to přijde trochu optimistické, vývoj této technologie měl - porovnáme-li prezentace Intelu z různých období - určitý skluz. Intel již v polovině roku 2013 uvedl, že po technologické stránce je 10nm proces hotový. Ale třeba ví David Kanter něco víc :-).

struktura „3D“ Quantum Well FinFET (prezentace 2011)

Renee James z Intelu nyní potvrdila, že společnost již má vizi, jak 7nm čipy vyrábět - což, přeloženo z PR jazyka, znamená, že je rozhodnuto, jakou architekturu bude 7nm proces využívat. Použití QW FinFET se v tuto chvíli jeví jako nejpravděpodobnější možnost, byť Intel dosud nic konkrétního nepotvrdil a jak zmínil David Kanter - každá prognóza, která přináší nové a vlastní sdělení, s sebou nese určité riziko toho, že zkrátka nevyjde. Objektivně ale lze říct, že výzkumu a (následnému) vývoji technologie QW, se Intel věnuje bezmála deset let a tudíž to riziko nebude nijak vysoké :-).