Intel na ISSCC v San Franciscu nehovořil jen o procesorech „Silverthorne“ a „Tukwila“. Neméně zajímavá přednáška se týkala také phase-change pamětí, kterými by Intel rád vytlačil z trhu zejména flash paměti. Jeho vědci spolu s těmi z ST Microelectronics přišli se způsobem, jak zdvojnásobit kapacitu jedné paměťové buňky, takže by neměla dva stavy, jako doposud, ale čtyři.

Doposud se s phase-change paměťovými buňkami pracovalo tak, že materiál, který představuje jeden bit, může mít dva stavy: amorfní a krystalický (jako třeba na CD-RW). Nyní vědci použili něco, čemu říkají „GST“, jde o jakýsi speciální druh jakoby skla, které reaguje na teplo změnou svého stavu. U něj je miniaturní ohřívací prvek, kterým se vlastně jeho stav „ovládá“ příslušným zahříváním. Narozdíl od původních dvou stavů však tento „GST-materiál“ umí uvést do čtyř různých stavů a následně je správně vyhodnotit (pomocí elektrod na něj napojených zjišťují jeho elektrický odpor). Zahřívání je řízeno novým algoritmem, který je schopen ovládat jej právě pro dosažení kýžených čtyř stavů. Flash paměti se tedy mohou začít o svou budoucnost oprávněně obávat.