Společnosti Micron a Nanya dokončily vývoj 34nm low-power DDR2 čipů, jejichž výroba probíhá pokročilým 34nm procesem. Čipy o kapacitě 1 Gbit si vystačí pouze s 1,2V napájením, spotřeba je tak redukována oproti low-power DDR předchozí generace až o 50 %. Micron příslušné čipy pro chytré mobily a různá přenosná zařízení uvede nezávisle na vývoji s Nanyou, aktuálně dodává svým partnerům testovací vzorky a sériovou výrobu by chtěl rozjet ve druhé polovině roku.

Vedle toho si připomeňme společnou práci Intelu a Micronu na poli NAND flash (IM Flash Technologies), kde Micron ještě v tomto čtvrtletí rozeběhne sériovou 34nm výrobu 32Gbitových MLC.