Micron Technology oznamuje, že začíná rozesílat údajně v současné době nejrychlejší průmyslově vyráběné 512Mbitové DRAM pracující na frekvenci 200 MHz, tedy s datovým tokem až 400 Mbitů za sekundu. Ty směřují především do mobilních zařízení, a to i díky tomu, že se jim podařilo dosáhnout vysoké rychlosti i na 1,2 V, když JEDEC specifikace definuje napájení na 1,8 V. To nejen uspoří nějakou tu minutu akumulátoru, ale díky nižšímu rušení se postará i o „kvalitnější“ signál.

Trend integrovat do mobilních zařízení stále více funkcí spojených s videem nutí výrobce pracovat na stále rychlejších komponentech, čehož důkazem je i DRAM od Toshiby pracující s frekvencí 833 MHz, o které jsme psali také dnes. Ta si ale na sériovou výrobu asi ještě nějaký ten měsíc počká, zatímco Micron už své rychlé DRAM vyrábí. Vydržet by měly i velmi tvrdé podmínky, protože rozsah pracovních teplot je velký, od -40 do +85 °C. Micron chce tyto DRAM nabízet v jednom balení s NAND flash pamětí spolu s řídícími obvody, ale také jako multičipové řešení, případně samostatně.