Ani ne před rokem se Samsung s výrobou NAND flash čipů přesunul do 30nm úrovně (vzorky měl již v říjnu 2007). Jeho inženýři ale šlapou na plyn zhruba stejně jako jejich kolegové v Toyotě, takže po takto krátké době firma oznamuje dokončení vývoje výrobního procesu "20nm generace" pro NAND flash čipy, který je připraven ke startu výroby jak SD paměťových karet, tak čipů pro embedded segment. Bohužel zpráva neuvádí přesný počet nanometrů, takže nevíme, jde-li o 28, 22, nebo jaké jiné číslo.

Oproti výrobě 30nm generace dosahuje ta 20nm u Samsungu o 50 % vyšší produktivity při obdobně nízké zmetkovitosti, ostatně ne nadarmo jsou návrhově jednoduché NAND flash čipečky jednou z prvních věcí, na které se nové výrobní procesy používají. Korejský gigant pak dále hovoří o rychlostech čtení 20 MB/s a zápisu 10 MB/s, to berme jako potvrzení toho, že v případě SD karet půjde o Class 10.

Firma momentálně dodává vzorky 32Gbitových čipů, sériová výroba by se měla rozeběhnout v průběhu tohoto roku na portfoliu 4 a 64GB paměťových karet/čipů. Připomeňme, že Intel nedávno svoji (tentokrát přesně udanou) 22nm technologii (na SRAM paměti) teprve prezentoval. Každopádně bez ohledu na to, kolik přesně nanometrů Samsung označením "20nm class" myslí, budou nové čipy znamenat zvýšení kapacit, resp. snížení ceny za GB, což se v době nástupu SDXC rozhodně počítá.