Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
OT: muzete mi nekdo vysvetlit, proc delaji jadra ve tvaru ctverec / obdelnik na kulatou polochu kremikove desky ?
Co je na tom IDF podzimního když probíhá v létě? Něco mi snad uniklo?
to Richard: a to myslis, ze kulatejch by se na kulatou plochu veslo vic?
to Richard, a taky bych chtel videt ten system, jakym by to pak vyrezavali. (asi stejne je se ptat, proc se ze stromu, ktere maji valcovity tvar, rezou hranaty prkna)
to bigboban Staci se podivat ven a jaky rocni obdobi tam vidis? :-)
to Richard>
1.Kruhovost waffer-a je dana tradiciou a usposeobenim litografckych liniek a chemickych vyrobnych zariadeni...
2. co sa tyka tvaru nepouziva sa len obdlznik ale aj lichobeznik - v rohoch - hranaty tvar je sposobny SW na tvorbu masiek obvodov a ta je dana tyvarom Inegrovaneho obvodu...
Co je to tracidita? dík
>> Richard:
Co já vím, tak ty křemíkový desky jsou nejprve válce a z toho se ty desky krájí jak kolečka salámu. A ty válce jsou snad proto, že se to při výrobě nějak kutálí (hranol by drncal) ;).
>> bigboban:
Protože jde o sérii IDF, která se prostě značí Fall IDF (podzimní). To v USA, co právě skončilo, je z nich první, další termíny zde: http://intel.com/idf/
Kruhový tvar z tradice? He, he, větší blbost jsem už dlouho neslyšel. Kdyby tady někdo měl strojní VŠ nebo snad i SŠ, tak by jste věděli, že kruhový tvar je nejlepší z hlediska homogenity materiálu (tuhnutí, vnitřní pnutí atd.).
Nevim, uz nam o tom okrajove na prednaskach kdysi rikali, ale kremikove ingoty se cisty v podstate postupnym tavenim pres tavici smycku, tak tak prirozene vznika valec. Osobne jsem mel takovy ingot na vyrobu integrovanych obvodu v ruce - mel asi 7 cm prumer, ale to byl rok 1993.
Přesně tak, ingot se vytahuje z taveniny a přitom rotuje. Rotací těžko vznikne něco jiného než válec...
Je to tak, veme se křemičitej písek pak se to protáhne kyselinou a zase z5 a dostane se Si s asi 97% čistotou kterej se roztaví a na monokrystal se táhne postupně pomalu nahoru a otáčí se s ním proto válec. Pak se ten válec dá do indukční pece a pomalu se od spoda nahoru a zase z5 ohřívá a lokálně taví aby ty nečistoty co tam zbyly vyplavali nahoru nebo dolu podle toho jesi sou těší nebo lehčí. no a pak už se to jen diamantovou pilou nakrájí a může se začít osvěcovat, dotovat a leptat. Dál už to zná každej ...
Tavne cisteni je jedna vec ale posledni dobou i alternativni cesty pouzivane pri izolovani izotopu zacinaji byt dostupne. Tam treba vytvorit plyn SiF a ten se pak difuzni cestou rozdeluje na izotopy lehci a tezsi... Zakladni podkladovy material pri SOI technologii na Si tvori prave Si platek, ale na nem se netvori tranzistory, na nem se jen vytvori ta vrstva oxidu a kremik se uz dale nanasi epitaxi. Je to genialni myslenka protoze kdysi jedina cesta k SOI byla nanaset kremikovou vrstvu na zafirovou plotnu - a ta byla o 'kousek' drazsi.
2kert >> IMHO po vytiahnuti valca (vytvoreni monokrystalu) uz nesmies nic tavit. Takze to cistenie je este pred vytahovanim.
Mňa by skôr zaujímalo, prečo robia tie neúplné čipy po krajoch.
ad Kert) chemicka cistota jiz dnes neni hlavni problem, bezne pouzivane vychozi materialy maji jiz pomerne dlouho daleko vyssi cistotu nez tech 97%, presny zpusob vyroby sice neznam, zle asi pujde o neco mene energeticky narocneho, nez drive pouzivane pretavovani. Kulateho tvaru se skutecne dosahuje az pri vyrobe monokrystalu, diky pouzivane metode tazeni krystalu z taveniny. Nicmene ani tak by zrejme nic nebranilu tomu, aby se desky orezaly treba na ctverce jeste pred samotnym zahajenim vyroby IO, ale kulaty tvar bude asi vyhodnejsi zejmena kvuli jednodussi praci s nim (bez problemu lze s kulatou deskou rotovat a rotacne se na desky nanasi napr. fotoemulze) a predevsim proto, ze vetsina defektu na desce se soustreduje do oblasti pri okrajich, a kruh ma pri danne plose nejmensi obvod.
ad majk) to by mne zajimalo take, snad proto, ze nejvetsim nepritelem dokonaleho krystalu je mechanicky stres a wafer zcela zaplneny bude asi homogenejsi a proto i mne namahany pri zpracovavani. Navic okrajove cipy se stejne temer vzdy "nepovedou", takze odpad je ze zcela zaplneneho waferu mensi nez, kdyby se na nem vyrabely jen "uplne" cipy. Take je mozne, ze okrajove "nekompletni" cipy se v prubehu vyroby vyuzivaji k destruktivnim testum a kalibracim, ale jsou to jen me domenky, a zatim jsem verohodne vysvetleni nenalezl.
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.