Minulé pondělí si pod stromeček nadělil Micron velmi pěkný dárek. V jeho vývojových laboratořích totiž demonstrovali první DDR SDRAM paměť s kapacitou 1Gb (128MB) s využitím 0,11 mikronové technologie. Jejich napájení je 2,5V. První nasazení těchto pamětí nabídne firma Boise (Idaho, USA). Ovšem zatím pouze pro servery, jako registered DIMM s kapacitou 4GB. Konkurenční Hynix, který však již používá 0,10 mikronovou technologii, dovede vyrobit jen 512Mb.